利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，并且通过横向结晶工序进行结晶，同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，利用包含按３∶１∶２比例混合的Ｃｌ↓［２］、ＳＦ↓［６］、Ａｒ混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄膜表面突出的突出部，以对多晶硅薄膜表面进行平坦化处理，然后制作布线图案形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层对面的栅极绝缘层上形成栅极。通过向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极和漏极区域，并形成分别与源极和漏极区域电连接的源极和漏极。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
通常，液晶显示器(“LCD”)包括具有电极的两个面板，以及置于两个面板之间的液晶层。将两个面板彼此间通过印刷在面板边缘周围的密封剂进行密封，同时用隔板将两个面板相互分开。该液晶显示器是利用电极向置于在两面板之间的具有介电各相异性的液晶层施加电场，通过调节该电场强度以控制光透射比，从而显示图像的装置。薄膜晶体管(“TFTs”)用于控制传送到电极的信号。在液晶显示器上使用最普通的薄膜晶体管是将非晶硅作为半导体层使用。这种非晶硅薄膜晶体管具有约0.5-1cm2/Vsec的迁移率，可以作为液晶显示器开关元件使用。然而，由于薄膜晶体管具有低的迁移率，因而不适于在液晶面板上直接形成驱动电路。为了克服这类问题，已经开发了将电流迁移率约为20-150cm2/Vsec的多晶硅作为半导体层使用的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器。因为多晶硅薄膜晶体管具有较高的电流迁移率，所以可以实现在液晶面板内设置驱动电路的将芯片固定在玻璃上(Chip InGlass)的技术。形成多晶硅薄膜的技术有以下几种在基片上高温下直接沉积多晶硅的方法；沉积非晶硅并用约600℃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管制造方法，包括以下步骤：　　　　利用横向结晶工序通过用激光束照射非晶硅薄膜结晶所述非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜；　　　　用等离子干蚀刻工序对所述多晶硅薄膜表面进行平坦化处理；　　　　通过对所述多晶硅薄膜制作布线图案形成半导体层；　　　　形成覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；　　　　在所述半导体层对面的所述栅极绝缘层上形成栅极；　　　　通过向所述半导体层注入杂质，以所述栅极为中心，在两侧形成源极和漏极区域；以及　　　　分别形成与所述源极区域和所述漏极区域电连接的源极和漏极。

【技术特征摘要】
KR 2001-12-17 2001/800741.一种薄膜晶体管制造方法，包括以下步骤利用横向结晶工序通过用激光束照射非晶硅薄膜结晶所述非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜；用等离子干蚀刻工序对所述多晶硅薄膜表面进行平坦化处理；通过对所述多晶硅薄膜制作布线图案形成半导体层；形成覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；在所述半导体层对面的所述栅极绝缘层上形成栅极；通过向所述半导体层注入杂质，以所述栅极为中心，在两侧形成源极和漏极区域；以及分别形成与所述源极区域和所述漏极区域电连接的源极和漏极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤形成与所述漏极连接的像素电极；以及在所述漏极和所述像素电极之间形成由SiNx、SiOC、SiOF、或有机绝缘材料组成的钝化层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子干蚀刻利用氧、氢、或氦。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子干蚀刻利用包括按2.5-3.5∶0.5-1.5∶1.5-2.5比例混合的Cl2、SF6、和Ar混合气体。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子干蚀刻在等于或小于5mT压力下进行。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述横向结晶工序利用具有限定...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋溱镐，崔埈厚，崔凡洛，姜明求，姜淑映，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]