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本发明提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，并且通过横向结晶工序进行结晶，同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，利用包含按３∶１∶２比例混合的Ｃｌ↓［２］、ＳＦ↓［６］、Ａｒ混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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