沙漏随机访问存储器制造技术

一种具有非易失ＨＧＲＡＭ单元的集成电路包括第一部分（１２）和第二部分，在第一部分（１２）中，向衬底（１６）注入杂质材料以形成ＮＰＮ晶体管区（１８，２０），而第二部分具有对ＮＰＮ晶体管区中传导的电流进行控制的栅极结构（１４）。所述栅极结构（１４）至少形成在所述衬底的Ｐ型沟道区的上方，并且包括带有栅极的沙漏形材料，用于控制空穴穿越沙漏的受限部分的移动。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
由于当今在半导体技术中的高度小型化，所以硬件中可以实现的设计的尺寸和复杂度大大增加。这使得开发相对于现有体系结构具有更高性能的高速专用体系结构在技术上和经济上都变得可行。在数据存储中提供不断改善的性能的同时，存储单元技术在降低产品成本方面起到至关重要的作用。在当今的电子系统中，流行着几种不同的存储器技术。动态随机访问存储器(DRAM)通过使用电容保持电荷来存储数据，虽然DRAM简单而又快速，但是当掉电时，所存储的数据无法保留下来，并且需要频繁的刷新来保持存储器的内容。很多类型的非易失存储器也是可用的，例如闪存或铁电体存储器。闪存通过在标准控制栅极下嵌入一个浮动栅极，消除了刷新和易失性问题。可以通过使用热电子注入和/或隧穿在上述浮动栅极上存储并永久保持电荷，对该浮动栅极进行编程。然而，这种非易失特性的获得是有代价的，需要独立的擦除周期、高的编程/擦除电压、块级擦除、写周期数量上的持续时间限制、以及因隧穿开销引起的更长的写时间。因此，需要这样一种存储单元技术，它是非易失、低功率的，并且可使用能为操作微处理器提供灵活性的标准工艺技术来制造。附图说明在本专利技术的权利要求书中具体指出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件，包括：具有源极区和漏极区的衬底；具有上部区域和下部区域的半导体材料，所述两个区域由桥区分隔开，其中所述下部区域至少形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述衬底的上方；和紧邻所述桥区形成的第一夹区材料，用于接收 偏压，该偏压控制在所述上部区域和所述下部区域之间传递的电荷。

【技术特征摘要】
US 2002-8-15 10/222,0951.一种器件，包括具有源极区和漏极区的衬底；具有上部区域和下部区域的半导体材料，所述两个区域由桥区分隔开，其中所述下部区域至少形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述衬底的上方；和紧邻所述桥区形成的第一夹区材料，用于接收偏压，该偏压控制在所述上部区域和所述下部区域之间传递的电荷。2.如权利要求1所述的器件，其中，所述半导体材料与所述第一夹区材料电隔离。3.如权利要求1所述的器件，其中，所述半导体材料是沙漏形状的，其中所述桥区窄于所述上部区域和所述下部区域。4.如权利要求1所述的器件，还包括耦合到所述半导体材料的所述上部区域的栅极。5.如权利要求4所述的器件，其中，耦合到所述半导体材料的所述上部区域的所述栅极以及所述漏极区都耦合到数据线。6.如权利要求5所述的器件，其中，耦合到所述第一夹区材料的栅极以及所述源极区都耦合到字线。7.如权利要求1所述的器件，还包括紧邻所述桥区形成的并与所述第一夹区材料相对的第二夹区材料。8.一种系统，包括具有算术逻辑单元的处理器；和位于所述处理器之外的存储器，该存储器被耦合用于向所述算术逻辑单元提供数据，所述存储器包括，具有源极区和漏极区的存储单元，具有上部区域和下部区域的半导体材料，所述两个区域由桥区分隔开，和耦合于所述桥区形成的第一夹区材料，用于控制从所述上部区域向所述下部区域传递的电荷，其中所述下部区域中的电荷控制在所述源极区和漏极区之间形成的反转层。9.如权利要求8所述的系统，还包括数据线，其耦合到所述半导体材料的所述上部区域和所述漏极区。10.如权利要求8所述的系统，还包括字线，...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文布罗斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]