非易失性半导体存储装置制造方法及图纸

在非易失性存储单元（ＭＣ；ＭＣ０，ＭＣ１）中，与存储单元晶体管（ＭＴ）串联连接选择晶体管（ＳＴ）。该选择晶体管为２层栅极结构，分别驱动各栅极（Ｇ１，Ｇ２）的电压。使用这些选择晶体管的层叠栅极电极间的电容耦合，将选择晶体管的栅极电位设定为预定的电压电平。可减小选择晶体管栅极电压产生部的产生电压电平的绝对值，降低消费电流，此外，可减小电压产生部的版面设计面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性半导体存储装置，特别涉及集成在与处理器等的逻辑电路相同的半导体衬底(芯片)上的非易失性半导体存储装置。更特定地，本专利技术涉及用于减小非易失性半导体存储装置的功耗以及占有面积并且高速地进行数据读出的结构。
技术介绍
1个非易失地存储信息的半导体存储装置具有闪速存储器。该闪速存储器由存储单元具有浮动栅极的1个层叠栅型场效应晶体管(存储单元晶体管)构成。通过向浮动栅极施加电场，从而利用F-N(Fowler-Nordheim)隧道效应现象或者沟道热电子现象，向浮动栅极注入/抽出电荷(电子)，改变存储单元晶体管的阈值。根据存储单元晶体管的阈值电压的不同，在存储单元选择时，流过存储单元的电流量不同，由此，存储数据。在使用n沟道晶体管作为存储单元晶体管的情况下，向浮动栅极注入电子的状态为阈值电压较高的状态，从浮动栅极抽出电子的状态为阈值电极较低的状态。按照该浮动栅极的蓄积电荷量(蓄积电子量)，可实现在将栅极电压设定为例如6.5V或者6.5V以上的情况下流过电流的状态、和栅极电压为4.0V的情况下也流过电流的状态。因此，在读出数据时，设定例如5.0V的中间电压作为栅极电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储装置，具有：存储单元晶体管，非易失地存储数据；选择晶体管，与所述存储单元晶体管串联连接，并且具有相互直线对准配置并可对每个设定电压电平的第１以及第２的导电层，导通时，可读出所述存储单元晶体管的存储数据；第１电压设定电路，设定所述选择晶体管的第１导电层的电压；和第２电压设定电路，设定所述选择晶体管的第２导电层的电压。

【技术特征摘要】
JP 2005-4-28 2005-1324411.一种非易失性半导体存储装置，具有存储单元晶体管，非易失地存储数据；选择晶体管，与所述存储单元晶体管串联连接，并且具有相互直线对准配置并可对每个设定电压电平的第1以及第2的导电层，导通时，可读出所述存储单元晶体管的存储数据；第1电压设定电路，设定所述选择晶体管的第1导电层的电压；和第2电压设定电路，设定所述选择晶体管的第2导电层的电压。2.如权利要求1记载的非易失性半导体存储装置，其中所述存储单元晶体管具有以电荷的方式存储信息的浮动栅极；和控制向所述浮动栅极进行电荷的注入以及抽出，并且施加用于读出所述存储单元晶体管的存储数据的电压的、配置在所述浮动栅极上的控制电极层，所述第1导电层以与所述浮动栅极相同的布线层的布线形成，并且，所述第2导电层以与所述控制电极层相同的布线层的布线构成。3.一种非易失性半导体存储装置，具有存储单元，其具有以电荷的形式存储信息的电荷蓄积区域、形成在所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井元治，远藤诚一，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]