温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在非易失性存储单元（ＭＣ；ＭＣ０，ＭＣ１）中，与存储单元晶体管（ＭＴ）串联连接选择晶体管（ＳＴ）。该选择晶体管为２层栅极结构，分别驱动各栅极（Ｇ１，Ｇ２）的电压。使用这些选择晶体管的层叠栅极电极间的电容耦合，将选择晶体管的栅极电位设定为预定...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。