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一种具有非易失ＨＧＲＡＭ单元的集成电路包括第一部分（１２）和第二部分，在第一部分（１２）中，向衬底（１６）注入杂质材料以形成ＮＰＮ晶体管区（１８，２０），而第二部分具有对ＮＰＮ晶体管区中传导的电流进行控制的栅极结构（１４）。所述栅极结构（１...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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