多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，由绝缘基底（１）、ＳｉＯ↓［２］缓冲层（５１）、栅电极绝缘层（５３）、在栅电极绝缘层（５３）内的两个顶栅电极（２４）、漏区（３）、源区（４）组成，ＳｉＯ↓［２］缓冲层（５１）上还生长有一层栅电极绝缘层（５２），在栅电极绝缘层（５２）内有底栅电极（２３），底栅电极（２３）与顶栅电极（２４）通过栅电极连接孔（２５）连接；在栅电极绝缘层（５２）上生长有多晶硅薄膜形成的沟道（６）。本发明专利技术的ＴＦＴ器件与在同样条件下制备的ＴＦＴ有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比ＴＦＴ驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，具体涉及一种可用于多晶硅(Poly-Si)有源有机电致发光显示屏(Active Matrix Organic Light Emitting Diode简称AMOLED)的驱动阵列及周边驱动阵列的多晶硅薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)，也可用于多晶硅有源液晶显示屏(AM LCD)的驱动阵列及周边驱动阵列多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFT)。
技术介绍
用于Poly-Si AM OLED的TFT结构已经有多种，最常见的如自对准(Self-align)结构、栅偏移(Off-set)结构、漏极轻掺杂(LDD)结构以及双栅(dual-gate)结构等都有各自的优点及适用范围。自对准结构尽管工艺上简单易实现，但关态漏电流较大；栅偏移结构尽管能有效地降低关态漏电流，但开态电流也有明显降低；LDD结构曾作为一种新型结构，较前两种结构有着更大的优点开态电流较大，关态电流较小，与其他两种结构相比，LDD结构是开关比最大的一种结构，这一点对有源驱动阵列来说尤其重要，但其工艺较复杂；双栅结构制作工艺简单且开关比较大，也是应用比较广泛的一种结构。双本文档来自技高网...

【技术保护点】
多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管，由绝缘材料基底（１）、在基底上顺次生长的ＳｉＯ↓［２］缓冲层（５１）、栅电极绝缘层（５３）、在栅电极绝缘层（５３）内的两个顶栅电极（２４）、漏区（３）、源区（４）组成，其特征在于：ＳｉＯ↓［２］缓冲层（５１）上生长有一层栅电极绝缘层（５２），在栅电极绝缘层（５２）内有底栅电极（２３），底栅电极（２３）与顶栅电极（２４）通过栅电极连接孔（２５）连接；在栅电极绝缘层（５２）上生长有多晶硅薄膜形成的沟道（６）；漏区（３）和源区（４）的底部与沟道（６）相接触。

【技术特征摘要】
1.多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管，由绝缘材料基底(1)、在基底上顺次生长的SiO2缓冲层(51)、栅电极绝缘层(53)、在栅电极绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)组成，其特征在于SiO2缓冲层(51)上生长有一层栅电极绝缘层(52)，在栅电极绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在栅电极绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)；漏区(3)和源区(4)的底部与沟道(6)相接触。2.如权利要求1所述的多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于栅电极(23)加有电压时，在沟道(6)贴近上绝缘层(53)和下绝缘层(52)的表面同时出现反型层，实现电流的两个通路，即双沟道结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽杰，张彤，李传南，赵毅，侯晶莹，刘式墉，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]