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本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，由绝缘基底（１）、ＳｉＯ↓［２］缓冲层（５１）、栅电极绝缘层（５３）、在栅电极绝缘层（５３）内的两个顶栅电极（２４）、漏区（３）、源区（４）组成，ＳｉＯ↓［２］缓冲层（５１）上还生长有一层栅电极绝缘...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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