【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备铁磁性半导体薄膜材料的新方法，特别是一种。
技术介绍
半导体材料和磁性材料是现代信息技术中不可或缺的两类重要的材料，而且半导体物理学和磁性物理学是凝聚态物理领域的两大分支。使磁特性和半导体特性相结合，制造新型功能器件是磁电子学发展的一个非常重要的分支领域。因此，将现有半导体材料磁性化，无论从材料实用上还是从基础物理学上讲都是非常有意义的。单一能态离子注入法是一种常见的铁磁性半导体制薄膜材料的制备方法。这种方法的优点是生长速度快并且成本低，其技术已经比较成熟。但是这种方法的缺点是磁性元素在薄膜的深度上是高斯分布，这就使材料的器件应用受到限制。而多能态离子注入法(是指用不同能量的过渡族金属离子和稀土元素离子注入半导体衬底)就很好的解决了这个问题，可以制备出磁性元素在纵向均匀分布的铁磁性半导体薄膜材料，在分立器件和集成电路中必将得到广泛应用，因此对其制备和研究具有重要意义。离子注入技术的优点是利用其磁分析器的离子提纯分析功能，在超高真空条件下可制备其它工艺不易实现的、难提纯、难化合、易氧化的特殊材料。磁性元素如锰通常是很易氧化、很难提纯的物质，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多能态离子注入法制备磁性半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤首先选择半导体材料为衬底；然后在衬底上采用多能态离子注入法直接制备磁性半导体材料，形成稀磁半导体材料。...
【专利技术属性】
技术研发人员：张富强，陈诺夫，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。