【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor Array)基板的制造方法，且特别是有关于一种可以减少光掩膜数的。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层所构成，其中薄膜晶体管阵列基板是由多个以阵列排列的薄膜晶体管以及与每一薄膜晶体管对应配置的一像素电极(PixelElectrode)而构成数个像素结构。而上述的薄膜晶体管是包括栅极、通道层、漏极与源极，其是用来作为液晶显示单元的开关元件。公知薄膜晶体管制造工艺中，较常见的是五道光掩膜制造工艺。其中，第一道光掩膜制造工艺是用来定义第一金属层，以形成扫描配线以及薄膜晶体管的栅极等构件。第二道光掩膜制造工艺是定义出薄膜晶体管的通道层以及欧姆接触层第三道光掩膜制造工艺是用来定义第二金属层，以形成数据配线以及薄膜晶体管的源极/漏极等构件。第四道光掩膜制造工艺是用来将保护层图案化。而第五道光掩膜制造工艺是用来将透明导电层图案化，而形成像素电极。然而，随着薄膜晶体管液晶显示器朝大尺寸制作的发展趋势，而将会面临许多的问题与挑战，例如良率降低以及生产能力...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在一基板上形成一栅极以及与该栅极电性连接的一扫描配线；在该基板上形成一栅极绝缘层，覆盖该栅极以及该扫描配线；在该栅极上方的该栅极绝缘层上定义出一通道层以及一欧姆接触层；在该基板的上方形成一透明导电层；在该透明导电层上形成一金属层；图案化该金属层与该透明导电层，以定义出一源极/漏极、一数据配线以及一像素区域；在该基板的上方形成一保护层，暴露出该像素区域中的该金属层；以及以该保护层为掩膜，移除该像素区域中的该金属层，暴露出该像素区域中的该透明导电层，而形成一像素电极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中在该栅极与该扫描配线的表面上更包括形成有一第一透明导电层。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中在形成该栅极与该扫描配线时，更包括在该基板的一边缘处形成与该扫描配线电性连接的一第一端子部，在定义该源极/漏极、该数据配线以及该像素区域的同时，更在该基板另一边缘处定义出一第二端子部。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中在该第一端子部的表面上更包括形成有一第一透明导电层。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中在该基板的上方形成该保护层的步骤中，该保护层是暴露出该第一端子部上方的该栅极绝缘层以及该第二端子部，以便后续于以该保护层为掩膜移除该金属层的步骤中，会将该第一端子部上方的该栅极绝缘层移除，该第二端子部的该金属层也会被移除。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中在形成该栅极与该扫描配线时，更包括在该基板上形成一共用线，用以作一像素储存电容器的下电极，而后续形成于该共用线上方的该像素电极即作为该像素储存电容器的上电极。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中在该共用线的表面上更包括形成有一第一透明导电层。8.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在一基板上形成一栅极以及与该栅极电性连接的一扫描配线，并且同时在该基板的一边缘处形成一第一端子部，该扫描配线是与该第一端子部电性连接；在该基板上形成一栅极绝缘层，覆盖该栅极、该扫描配线与该第一端子部；在该栅极绝缘层上形成一通...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨克勤，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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