【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及能简便地从引线框和封接树脂剥离、并能以高效作业性制造半导体插件的半导体用粘接膜、使用了该膜的引线框、半导体装置及其制造方法。
技术介绍
以往，半导体插件一直采用如下结构，即，利用银糊等粘接剂将半导体元件粘接在压料垫上，再通过引线使其与引线框接合，然后除外部接线用的后引线之外，全部封装。但是，近年以来，随着半导体插件高密度化、小面积化、薄型化等要求的提出，已开发出各式各样结构的插件。其中虽有诸如LOC(leadon chip，引线在芯片上)和COL(chip on lead，芯片在引线上)等结构，但在小面积化、薄型化等方面都还存在问题。为了解决这些问题，开发出了只封装插件单面(半导体元件侧)、具有用内露引线框与外部连接结构的插件。这种结构的插件的引线框不会从封装树脂突出，可以实现小面积化、薄型化等，但容易出现封装时封装树脂埋入引线框内等不良情况。本专利技术者们发现，先将粘接膜粘接在引线框里面把它保护起来、封装后再剥离的方法，可以防止上述不良情况的发生。但此时所用的粘接膜，要求对引线框有足够的粘接力，而且树脂封装之后，必须用加热等方法能容易地剥离。目...
【技术保护点】
半导体用粘接膜，用于将粘接膜粘贴在引线框的背面进行保护、封装后再剥离的方法，其特征在于，在支撑膜的一面或两面形成有树脂层Ａ，所述支撑膜在２０－２００℃的线热膨胀系数在３．０×１０↑［－５］／℃以下。
【技术特征摘要】
JP 1999-11-10 1999-3203011.半导体用粘接膜，用于将粘接膜粘贴在引线框的背面进行保护、封装后再剥离的方法，其特征在于，在支撑膜的一面或两面形成有树脂层A，所述支撑膜在20-200℃的线热膨胀系数在3.0×10-5/℃以下。2.半导体用粘接膜，用于将粘接膜粘贴在引线框的背面进行保护、封装后再剥离的方法，其特征在于，在支撑膜的一面或两面形成有树脂层A，所述支撑膜在200℃加热2小时后的热收缩率在0.15％以下。3.半导体用粘接膜，用于将粘接膜粘贴在引线框的背面进行保护、封装后再剥离的方法，其特征在于，在支撑膜的一面或两面形成有树脂层A，所述支撑膜经过表面处理。4.如权利要求3所述的半导体用粘接膜，其特征在于，所述表面处理选自化学处理、砂褪光处理、等离子处理和电晕处理。5.如权利要求3所述的半导体用粘接膜，其特征在于，所述表面处理是碱处理或硅烷偶合剂处理。6.半导体用粘接膜，用于将粘接膜粘贴在引线框的背面进行保护、封装后再剥离的方法，其特征在于，在支撑膜的一面或两面形成有树脂层A，所述树脂层A的厚度(A)与支撑膜的厚度(B)之比(A/B)在0.5以下。7.半导体用粘接膜，用于将粘接膜粘贴在引线框的背面进行保护、封装后再剥离的方法，其特征在于，在支撑膜的一面形成有具有粘接性的树脂层A，在其相反面形成有不具有粘接性的树脂层B。8.如权利要求7所述的半导体用粘接膜，其特征在于，树脂层A与树脂层B的厚度之比为0.8∶1～1.2∶1。9.如权利要求7所述的半导体用粘接膜，其特征在于，所述树脂层A的厚度(A)与支撑膜的厚度(B)之比(A/B)在0.5以下。10.如权利要求7所述的半导体用粘接膜，其特征在于，所述树脂层A的厚度为1-20μm。11.如权利要求7所述的半导体用粘接膜，其特征在于，所述树脂层B在230℃的弹性率为100-2000MPa。12.如权利要求7所述的半导体用粘接膜，其特征在于，所述树脂层A和树脂层B均含有具有酰胺...
【专利技术属性】
技术研发人员：河合纪安，松浦秀一，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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