【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体光电子
，特别是指氮化镓基发光二极管芯片的产品及其制造方法。
技术介绍
氮化镓(GaN)基化合物半导体及其量子阱结构发光二极管(LED)具有高可靠性、高效率、长寿命、全固体化、耗电少等优点，在大屏幕显示、交通灯信息指示及一般的光显示和指示领域具有巨大的应用市场，特别是氮化镓基紫光或蓝光发光二极管与荧光粉结合可以制成白光二极管，在照明领域具有潜在的应用市场，有望将来取代现在的白炽灯和荧光灯，成为21世纪的绿色照明光源。现在一般采用的氮化镓基发光二极管芯片的P型接触电极是一个整体，当芯片面积较大时，即使采用较先进的梳状电极，也存在电流扩散性能不好，在P型区域和N型区域接近的地方容易出现电流集中效应，影响到芯片工作电流密度提高，另外氮化镓基发光二极管芯片的蓝宝石衬底导热性不好，使得芯片工作时产生的热量很难传递出去，当输入功率增加时，会造成芯片温度升高，影响到芯片的可靠性和寿命。同时当芯片面积较大时，连成整体的P型接触电极还会造成所谓的“波导效应”，将发光有源区产生的光限制在芯片之中，降低芯片的出光效率。现有技术中氮化镓基发光二极管芯片的发光...
【技术保护点】
一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底（１）、Ｎ型接触层（２）、发光有源区（３）、Ｐ型接触层（４）、Ｐ型接触电极（６）和Ｎ型接触电极（７），所述发光有源区（３）、Ｐ型接触层（４）、Ｐ型接触电极（６）层叠在一起，其特征在于：发光有源区（３）、Ｐ型接触层（４）和Ｐ型接触电极（６）分立阵列在Ｎ型接触层（２）上，阵列中的每一组发光有源区（３）、Ｐ型接触层（４）和Ｐ型接触电极（６）组成一个阵列单元，网格结构的Ｎ型接触电极（７）将每一阵列单元围在一个网格内，所述Ｎ型接触电极（７）上除用于电气引出的部分覆盖有Ｎ电极加厚反射金属层（１４）外，其余部分覆盖有钝化隔离层（８），阵列的Ｐ型接...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底(1)、N型接触层(2)、发光有源区(3)、P型接触层(4)、P型接触电极(6)和N型接触电极(7)，所述发光有源区(3)、P型接触层(4)、P型接触电极(6)层叠在一起，其特征在于发光有源区(3)、P型接触层(4)和P型接触电极(6)分立阵列在N型接触层(2)上，阵列中的每一组发光有源区(3)、P型接触层(4)和P型接触电极(6)组成一个阵列单元，网格结构的N型接触电极(7)将每一阵列单元围在一个网格内，所述N型接触电极(7)上除用于电气引出的部分覆盖有N电极加厚反射金属层(14)外，其余部分覆盖有钝化隔离层(8)，阵列的P型接触电极(6)和钝化隔离层(8)上有P电极加厚反射金属层(9)；通过倒装焊技术和管芯支撑体上的焊料凸块(13)，P电极加厚反射金属层(9)与管芯支撑体上P区连接电极层(12)连接，N电极加厚反射金属层(14)与管芯支撑体上N区连接电极层(15)连接；P区连接电极层(12)和N区连接电极层(15)设在管芯支撑体的绝缘隔离层(11)上，绝缘隔离层(11)位于高热导率的管芯支撑体衬底(10)上。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于蓝宝石衬底(1)的厚度为70微米到150微米之间。3.一种根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，其主要制作过程包括如下步骤1)在蓝宝石衬底(1)上利用金属化学有机气相沉积方法外延生长氮化镓基N型接触层(2)，发光有源区(3)和氮化镓基P型接触层(4)，形成氮化镓基发光二极管外延片；2)在氮化镓基发光二极管外延片上利用光刻、离子刻蚀、薄膜淀积、退火、金属膜溅射或蒸...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炳乾，李炳田，
申请(专利权)人：东莞市福地电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。