氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法技术

一种氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法，采取如下步骤：ａ、检测晶体外延片，进行ｐ型层活化，形成ｐ型层；ｂ、依次进行隔离光刻、隔离干法刻蚀、ｎ电极刻蚀光刻及ｎ电极区干法刻蚀，形成ｎ台面；ｃ、在ｎ型层上形成ｎ电极；ｄ、在ｐ型层上形成ｐ电极；ｅ、然后减薄，划片，崩片，分管芯。其改变了现有制作工艺的流程，在刻蚀出ｎ台面后，先后在其上形成ｎ、ｐ电极，电极接触电阻较小，透光率较好；避免了电极多次交替定位制作的烦琐，定位精度和重复定位精度大大提高，生产效率和成品率进一步提高。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子
，具体是一种氮化镓(GaN)基蓝光发光二极管芯片(或管芯)的制造方法。发光二极管(LED)是一种把电能转化为光能的发光器件，是在半导体p-n结、双异质结或多量子阱结构上通以正向电流时发出可见光、红外光或紫外光等的光发射器件。目前，红、橙黄、黄、普绿等发光二极管的制造技术已经成熟，而且已经实现产业化，而如何制得纯绿、纯蓝发光二极管则是长期困扰该行业的难题。以氮化镓为代表的第三代半导体III-V族宽带隙化合物半导体材料，内、外量子效率高，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，是目前世界上最先进的半导体材料。其中以GaN材料为基材的蓝光发光二极管，已成为当今光电子领域内研究的前沿和热点。蓝光发光二极管具有体积小、冷光源、响应时间短(快速响应)、发光效率高、防爆和可靠、寿命长、低压、省电、节能等诸多优点。然而，由于用来制造氮化镓基蓝光发光二极管芯片的晶片一般是在蓝宝石(Al2O3)作衬底材料上外延生长所得到的，并且因蓝宝石是质地坚硬和绝缘的，这将导致氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制作工艺不能采用普通发光二极管芯片的制作工艺。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓（ＧａＮ）基蓝光发光二极管芯片的制造方法，其特征在于采取如下步骤： ａ、检测氮化镓基蓝光发光晶体外延片，进行ｐ型层活化，形成低电阻率的ｐ型导电体； ｂ、依次进行隔离光刻、隔离干法刻蚀、ｎ电极刻蚀光刻及ｎ电极区干法刻蚀，形成ｎ台面； ｃ、在所述的ｎ台面区，依次进行ｎ电极蒸镀光刻、ｎ电极蒸镀及ｎ电极合金，在ｎ型层上形成ｎ电极； ｄ、转入ｐ型层区，依次进行ｐ电极蒸镀光刻、ｐ电极蒸镀、ｐ电极合金、焊盘（ｐ压焊点）蒸镀光刻、焊盘蒸镀以及焊盘合金，在ｐ型层上形成ｐ电极； ｅ、然后将衬底减薄，划片，崩片，分管芯。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓(GaN)基蓝光发光二极管芯片的制造方法，其特征在于采取如下步骤a、检测氮化镓基蓝光发光晶体外延片，进行p型层活化，形成低电阻率的p型导电体；b、依次进行隔离光刻、隔离干法刻蚀、n电极刻蚀光刻及n电极区干法刻蚀，形成n台面；c、在所述的n台面区，依次进行n电极蒸镀光刻、n电极蒸镀及n电极合金，在n型层上形成n电极；d、转入p型层区，依次进行p电极蒸镀光刻、p电极蒸镀、p电极合金、焊盘(p压焊点)蒸镀光刻、焊盘蒸镀以及焊盘合金，在p型层上形成p电极；e、然后将衬底减薄，划片，崩片，分管芯。2.根据权利要求1所述氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法，其特征在于所述的氮化镓晶体外延片p型层活化在氮气(N2)气氛和450℃左右的温度条件下进行。3.根据权利要求1所述氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴启保，章裕中，王胜国，熊建明，
申请(专利权)人：方大集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]