【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氮化镓基发光二极管
，特别涉及一种氮化镓基发光二 极管芯片及其制作方法。
技术介绍
半导体发光二极管应用曰益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光 灯的趋势，但是目前还面临一些技术上的问题，特别是光取出效率比较低，通常影响光取出效率主要有三个方面的原因 一种是由于材料对光的吸收，另一 种是光在穿过不同介质时产生全反射，还有一种是光的菲涅尔效应损失。目前常规制作发光二极管芯片的技术为，在衬底1上依次外延生长得到发 光二极管的结构，N型GaN层2，有源层3， P型GaN层4，通过蚀刻的方法 得到芯片的切割道和N型GaN的表面5和侧壁6，然后制作透明导电层7，并 形成P型欧姆电极8、 N型欧姆电极9，最后用划片或切割的方法分割成单个晶 粒，也即得到单个的芯片。如图1所示，为常规工艺制作成的发光二极管芯片 的光路图，由于N型GaN折射系数较大，其临界角只有23。左右，因此只有 一部分的侧向光可以直接射出，大部分的侧向光在芯片内部形成全反射而损失 掉，从而导致芯片的外部发光效率比较低。
技术实现思路
有鉴于此，为了解决现有技术中存在的氣化镓基发光二极管芯...
【技术保护点】
一种氮化镓基发光二极管芯片，包括露在外面的Ｎ型氮化镓的表面和侧壁，其特征在于，所述Ｎ型氮化镓的表面为纳米柱状结构，Ｎ型氮化镓的侧壁为粗化的侧壁。
【技术特征摘要】
1、一种氮化镓基发光二极管芯片，包括露在外面的N型氮化镓的表面和侧壁，其特征在于，所述N型氮化镓的表面为纳米柱状结构，N型氮化镓的侧壁为粗化的侧壁。2、 一种制作权利要求l的氮化镓基发光二极管芯片的方法，其特征在于， 该方法包括下述步骤(1 )在氮化镓基发光二极管外延片的表面先生成保护掩膜，再涂上光刻胶， 接着在光刻胶表面光刻并显影，规划出晶粒区域的图形以及切割道区域的图形，(2) 去除切割道区域的保护掩膜，并去除未显影的光刻胶，(3) 在压力大于等于5毫托且小于等于10亳托的条件下，对切割道区域 进行干蚀刻，露出N型氮化镓并形成侧壁，且N型氮化镓的表面与衬底表面的 距离大于等于l(im且小于等于1.5pm，(4) 对侧壁和N型氣化镓表面在碱性溶液中进行时间大于等于30min且 小于等于70min的湿蚀刻，形成粗化的N型氮化镓侧壁和粗化的N型氮化镓表 面，(5) 在压力大于等于5亳托且小于等于30亳托的条件下，对N型氮化镓 表面进行干蚀刻，利用外延生长时N型氮化镓与衬底暴晶过程中形成的晶格缺 陷，使N型氮化镓的表面形成纳米柱状结构，(6) 去除晶粒区域表面的保护掩膜，接着从P型氮化镓表面往下干蚀刻露 出N型氮化镓层，再在P型氮化镓...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈国聪，王孟源，陆前军，
申请(专利权)人：普光科技广州有限公司，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]
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