发光装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:3232802 阅读:201 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包含基板、发光叠层和透明连接层。发光叠层位于基板之上,包含第一漫射面。透明连接层位于基板和第一漫射面之间,其中透明连接层的折射率相异于基板的折射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置,尤其涉及一种具有漫射面的发光装置。
技术介绍
发光装置已被广泛地应用,例如光学显示器、交通信号、数据储存器、 通讯装置、灯具和医疗仪器等。如何改善发光装置的效率是目前一个重要的 议题。如图1所示,根据斯涅耳定律,光从具有折射率nl的物质射向具有折 射率n2的另一物质,当nl大于n2,如果入射角小于临界角0C,光会被折射; 否则,光在两种物质间的介面会被全反射。当发光二极管(Light-Emitting Diode; LED)产生的光从高折射率的物质射向低折射率的物质,入射光和反 射光之间的角度必须相等或小于29c,才不会导致于两物质间的介面产生全 反射。换言之,当LED的光从具有高折射率的外延层射向低折射率的媒介, 例如基板和空气等等, 一部分的光会折射进入媒介,而部分入射角大于临界 角0c的光会被全反射至外延层。由于外延层周围的环境都具有较小的折射 率,被全反射的光会在外延层里被反复地反射,最后部份被全反射的光会被 外延层吸收。美国专利申请公开,r Semiconductor Chip for Optoelectronics 申请号 2002/00176本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置,包含: 基板; 发光叠层,包含: 第一半导体层,位于该基板之上,包含第一漫射面; 发光层,位于该第一半导体层之上;以及 第二半导体层,位于该发光层之上; 透明连接层,位于该基板与该第一漫射面 之间;以及 反射层,位于该透明连接层与该基板之间; 其中该透明连接层邻接该反射层的表面为平整面,使该第一漫射面与该反射层形成朗伯特反射面。

【技术特征摘要】
US 2007-11-15 11/984,2481. 一种发光装置,包含基板;发光叠层,包含第一半导体层,位于该基板之上,包含第一漫射面;发光层,位于该第一半导体层之上;以及第二半导体层,位于该发光层之上;透明连接层,位于该基板与该第一漫射面之间;以及反射层,位于该透明连接层与该基板之间;其中该透明连接层邻接该反射层的表面为平整面,使该第一漫射面与该反射层形成朗伯特反射面。2. 如权利要求1所述的发光装置,其中该透明连接层包含布拉格反射层。3. 如权利要求2所述的发光装置,其中该布拉格反射层至少包含两种不 同的材料,该两种不同的材料择自聚酰亚胺、过氟环丁烷、旋涂玻璃、Su8、 苯并环丁烯、环氧树脂、氮化硅、氧化硅、氧化铟锡、氧化钛与氧化镁所构 成的群组。4. 如权利要求1所述的发光装置,其中该透明连接层及/或该反射层包 含粘结层。5. 如权利要求4所述的发光装置,其中该粘结层包含材料择自聚酰亚胺、 过氟环丁烷、旋涂玻璃、Su8、苯并环丁烯、环氧树脂、氮化硅、氧化硅、 氧化铟锡、氧化钛、氧化镁与上述材料的组合所构成的群组。6. 如权利要求1所述的发光装置,其中该第一漫射面包含粗糙表面。7. 如权利要求l所述的发光装置,还包含 第二透明导电层,位于该发光叠层之上;以及 第三透明导电层,位于该第一漫射面与该透明连接层之间。8. 如权利要求7所述的发光装置,其中该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢明勋徐大正徐子杰彭韦智李亚儒陈世益骆武聪吕志强
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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