制造半导体器件的方法技术

一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在刻蚀膜上和／或上方形成相互交叉的第一光刻胶图样和第二光刻胶图样，以及使用第一光刻胶图样和第二光刻胶图样作为刻蚀掩膜，通过刻蚀该刻蚀膜在刻蚀膜上形成精细的图样。根据本发明专利技术实施例，可以通过实施两个曝光工艺来形成诸如接触孔的精细图样。该方法可以使用用于线和／或隔离的现有掩膜。该方法可以经由两个光刻胶涂覆工艺通过确保光刻胶膜足够的厚度来确保足够的刻蚀余量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于，更具体地，涉及 一种，该方法包括形成精细的图样(fine pattern )。
技术介绍
在制造半导体器件的过程中，光刻工艺可以是很重要的工艺。 在光刻工艺中，可以在晶片上和/或上方均匀地涂覆光刻胶，以及然 后可以<吏用光纟奄莫在该光刻力交上和/或上方实施曝光工艺。可以在预 定的版图中形成该光掩膜，以及然后可以对曝光的光刻胶进行显影 来形成具有一定形状的图样。在半导体光刻技术中，掩膜可以具有 精细的设计，其中该掩膜可以在制造半导体器件的光刻工艺中使 用。这可以有助于控制经由掩膜透射的光的量。随着半导体已经变 得更加高度集成，设计规则可以变得更加精细和复杂。光刻胶图样 的线宽也可以变得更小。然而， 一些纟支术限制，诸如光的相长干涉 (constructive interference )、曝光装置等可能使形成诸如接触孔的 精细图样变得困难。
技术实现思路
本专利技术实施例涉及一种用于。本专利技术实 施例涉及一种用于，该方法可以包括形成精 细的图样。本专利技术实施例涉及一种，该方法 可以包括通过实施两个曝光工艺来制造精细的图样。根据本专利技术实施例， 一种用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　在刻蚀膜上方形成第一光刻胶图样和第二光刻胶图样，所述第一光刻胶图样和第二光刻胶图样被构造成相互交叉；以及然后　使用所述第一光刻胶图样和第二光刻胶图样作为刻蚀掩膜通过刻蚀所述刻蚀膜来在所述刻蚀膜上方形成精细图样。

【技术特征摘要】
KR 2007-11-16 10-2007-01172901. 一种方法，包括在刻蚀膜上方形成第一光刻胶图样和第二光刻胶图样，所述第一光刻胶图样和第二光刻胶图样被构造成相互交叉；以及然后使用所述第一光刻胶图样和第二光刻胶图样作为刻蚀掩膜通过刻蚀所述刻蚀膜来在所述刻蚀膜上方形成精细图样。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光刻胶图样和所 述第二光刻胶图样的宽度和间距确定所述精细图样的宽度和 间距。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述精细图样包括矩形形 状的接触孔。4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述接触孔的尺寸是大约 30nm到100nm。5. 根据权利要求1所述的方法，其中，使用第一掩膜通过曝光工 艺和显影工艺来形成所述第 一光刻胶图样，以及使用第二掩膜 通过曝光工艺和显影工艺来形成所述第二光刻胶图样，并且其 中在第 一方向上形成所述第 一掩膜的线和隔离，且其中在与所 述第 一方向交叉的第二方向上形成所述第二掩膜的线和隔离。6. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一方向与所述第二 方向的所述交叉是基本上垂直的。7. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一掩膜和所述第二 掩膜基本上相同。8. —种方法，包4舌在半导体衬底上方形成介电膜；在所述介电膜上方形成并且图样化第一光刻力交膜以在第 一方向上形成第一光刻胶图样；在所述介电膜上方形成并且图样化第二光刻胶膜以在与 所述第一方向交叉的第二方向上形成第二光刻胶图样，其中在 所述介电膜的上方形成了所述第一光刻胶图样；以及然后使用所述第 一光刻胶图样和所述第二光刻胶图样作为刻 蚀掩膜来刻蚀所述介电膜。9. 4艮据^l利要求8所述的方法，其中，所述第一方向和所述第二 方向的所述交叉是基本上垂直的。10. 根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：全永斗，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]