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一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在刻蚀膜上和／或上方形成相互交叉的第一光刻胶图样和第二光刻胶图样，以及使用第一光刻胶图样和第二光刻胶图样作为刻蚀掩膜，通过刻蚀该刻蚀膜在刻蚀膜上形成精细的图样。根据本发明实施例，可以通过实施两个曝光工艺...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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