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本发明涉及一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法，制作方法包括下述步骤：在外延片表面规划出晶粒区域以及切割道区域；去除切割道区域的保护掩膜，再去除未显影的光刻胶；对切割道区域进行干蚀刻，露出Ｎ型氮化镓并形成侧壁，Ｎ型氮化镓的表面与外延片的衬...
该专利属于普光科技（广州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过普光科技（广州）有限公司授权不得商用。

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