本发明公开一种发光二极管的包装方法，该方法是先对芯片进行挑选分类后，将芯片排列整齐地粘附在蓝膜的中心位置，然后在芯片区域上覆盖粘贴静电保护膜，接着在蓝膜表面上再粘贴离型纸从而完成发光二极管的包装。本发明的包装方法在蓝膜、离型纸和芯片中间...

本发明公开一种氮化镓基发光二极管芯片，从下往上依次包括蓝宝石衬底、Ｎ型氮化镓、有源区、Ｐ型氮化镓、透明导电层，形成在透明导电层上的Ｐ电极，及形成在Ｎ型氮化镓外露的表面上的Ｎ电极，其中，所述Ｐ型氮化镓的边缘区域未被透明导电层覆盖，该未被透...

本发明公开一种发光二极管金电极的制备方法，该方法是先依次蒸镀具有欧姆接触的金属层和一层薄金层，再采用化学还原镀金在蒸镀的薄金层表面上析出所需厚度的金层，即完成了发光二极管金电极的制备。本发明采用化学还原镀金法制备金电极，节省大量的金用量...

本发明涉及一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法，制作方法包括下述步骤：在外延片表面规划出晶粒区域以及切割道区域；去除切割道区域的保护掩膜，再去除未显影的光刻胶；对切割道区域进行干蚀刻，露出Ｎ型氮化镓并形成侧壁，Ｎ型氮化镓的表面与外延片...

本发明涉及一种同时定义半导体器件表面保护层和电极的成形方法，半导体器件表面布有导电电路，在该表面镀上保护层，再涂布反转光刻胶，并将光刻胶中残余的有机溶剂烘烤挥发，在欲镀上电极的区域以外曝光，经曝光后热处理，将欲镀电极区域的光刻胶显影去除...

本发明涉及一种以提高氮化镓发光二极管芯片Ｐ型欧姆接触性能为目的工艺方法。采用磁控溅镀将Ｎｉ材料按照纳米点状粒子溅射于ＧａＮ基外延层表面，Ｎｉ的厚度为１ｎｍ～１００ｎｍ，然后在此Ｎｉ金属层表面沉积至少一层的高功函数金属薄膜，Ｎｉ金属层与高...

本发明提供一种氮化镓基发光二极管Ｐ型层透明导电膜及其制作方法，该透明导电膜是由Ｎｉ／ＩＴＯ、Ａｌ／ＩＴＯ或ＮｉＯ／ＩＴＯ金属组合中的一种制成，镍的厚度为５～３０埃，铝的厚度为５～３０埃，氧化镍的厚度为５～４０埃，氧化铟锡的厚度为１０００...

本发明涉及一种氮化镓基发光二极管Ｐ、Ｎ型层欧姆接触电极及其制法，该氮化镓基发光二极管Ｐ、Ｎ型层欧姆接触电极的材料为Ｃｒ／Ｐｄ／Ａｕ的金属组合，其制法是在蓝宝石衬底的外延结构上蚀刻出Ｎ型氮化镓层，并在Ｐ型氮化镓层上蒸镀Ｐ型透明电极层，接着...

本发明提供一种氮化镓基发光二极管芯片，该芯片包括衬底，在衬底的底面蒸镀有反射膜，该反射膜包括电介质反射膜和金属反射膜，电介质反射膜蒸镀在衬底和金属反射膜之间；本发明还提供该氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括：将芯片的衬底减薄，再在该...