氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法制造技术

本发明专利技术涉及一种氮化镓基发光二极管Ｐ、Ｎ型层欧姆接触电极及其制法，该氮化镓基发光二极管Ｐ、Ｎ型层欧姆接触电极的材料为Ｃｒ／Ｐｄ／Ａｕ的金属组合，其制法是在蓝宝石衬底的外延结构上蚀刻出Ｎ型氮化镓层，并在Ｐ型氮化镓层上蒸镀Ｐ型透明电极层，接着定位出Ｐ、Ｎ型层欧姆接触电极的图形，再在Ｐ型透明电极层、Ｎ型氮化镓层上分别依次蒸镀５０～５００埃的铬，３００～１０００埃的钯和３０００～２００００埃的金的金属组合，然后在氮气的气氛、温度为２００～４５０℃和时间为５～２０ｍｉｎ的条件下对蒸镀有铬、钯和金的芯片进行电极退火，从而获得优异的欧姆接触特性，并获得较佳的热稳定性且不易氧化，从而提升二极管的可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别涉及一种氮化镓基发光二极管P、 N型 层欧姆接触电极及其制法。
技术介绍
一般而言，金属与半导体的接触行为有欧姆接触和萧特基接触。对欧姆接 触而言，接触界面的电流-电压特性为线性关系，且金属与半导体间的接触阻值 比起半导体本身的阻值而言，小到可以忽略不计。目前， 一般用来制作P、 N欧姆接触电极的金属为Ti/Al、 Cr/Pt/Au的金属组合，釆用此类金属组合完成的金属电极具有较低的特征接触阻抗，可获得优 异的欧姆接触特性。但是，釆用此类金属组合完成的金属电极的热稳定性不佳， 如此导致二极管的可靠度也较低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种氮化镓基发光二极管P、 N型 层欧姆接触电极及其制法，通过选择适当功函数的金属，不仅在金属与半导体 的界面获得优异的欧姆接触特性，而且能获得较佳的热稳定性且不易氧化，如 此可使二极管整体可靠度提升。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的该氮化镓基发光二极管P、 N型层欧姆接触电极，其特点是，所述欧姆接 触电极的材料为Cr/Pd/Au的金属组合，在P型透明电极层、N型氮化镓层上蒸 镀的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基发光二极管Ｐ、Ｎ型层欧姆接触电极，其特征在于，所述欧姆接触电极的材料为Ｃｒ／Ｐｄ／Ａｕ的金属组合，在Ｐ型透明电极层、Ｎ型氮化镓层上蒸镀的欧姆接触电极的第一层为铬，第二层为钯，第三层为金，所述铬的厚度大于等于５０埃且小于等于５００埃，所述钯的厚度大于等于３００埃且小于等于１０００埃，所述金的厚度大于等于３０００埃且小于等于２００００埃。

【技术特征摘要】
1、 一种氮化镓基发光二极管P、 N型层欧姆接触电极，其特征在于，所述 欧姆接触电极的材料为Cr/Pd/Au的金属组合，在P型透明电极层、N型氮化镓 层上蒸镀的欧姆接触电极的第一层为铬，第二层为钯，第三层为金，所述铬的 厚度大于等于50埃且小于等于500埃，所述钯的厚度大于等于300埃且小于等 于1000埃，所述金的厚度大于等于3000埃且小于等于20000埃。2、 根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管P、 N型层欧姆接触电极， 其特征在于，所述铬的厚度大于等于100埃且小于等于200埃，所述钯的厚度 大于等于400埃且小于等于600埃，所述金的厚度大于等于5000埃且小于等于 10000埃。3、 根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管P、 N型层欧姆接触电 极，其特征在于，所述铬的厚度为200埃，所述钯的厚度为600埃，所述金的 厚度为10000埃。4、 一种根据权利要求1、 2或3所述的氮化镓基发光二极管P、 N型层欧 姆接触电极的制法，其特征在于，包括下述步骤(1) 在蓝宝石衬底上利用外延的方法形成N型氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国聪，王孟源，雷秀铮，
申请(专利权)人：普光科技广州有限公司，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]