发射射线的半导体器件及包含该半导体器件的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发射射线的半导体器件，具有：具有半导体多层结构的半导体主体，适合于从紫外、蓝和／或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；第一导电引线和一个第二导电引线，其分别与所述半导体主体导电连接；含有至少一种发光材料的发光变换元件，其将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体器件发射出包括来自于所述半导体主体并穿过所述发光变换元件的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线；其中所述的发光变换元件包括光散射颗粒。由此既能采用简单工艺方法进行大批量生产，又能在最大程度上保证器件的可再现性特征。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光半导体器件、利用该发光半导体器件的显示装置、以及该发光半导体器件在飞机机舱内的应用。
技术介绍
这种类型的半导体器件，例如从公开文件的DE 38 04 293中有所了解。文中介绍了一种电激发光二极管或激光二极管的结构。在此结构中，通过一个掺有发荧光的变光有机染料的塑料元件将二极管发射的全部发射光谱向波长较大的方向推移。通过这种措施，使这种结构发射出另一种不同于发光二极管发射的颜色的光。通过在塑料中掺入不同种类的染料，用同一种发光二极管就可以制成发射不同颜色的光的发光二极管结构。在DE-OS 2 347 289中发表了一种红外(IR)固体灯，其中，在一个IR二极管的边沿上涂布发光材料，从而使该处所发射的IR射线转变成可见光。采用这种措施的目的在于，为了控制的目的，在尽可能小地降低二极管发射的IR射线强度的同时，将其中尽可能小的一部分射线转换成可见光。另外，在EP 486 052中发表了一种发光二极管，其中，在基片与一层有源电激发光层之间至少设置一层半导体光激发光层，将来自该有源层朝向基片发射的第一波长段的光变换成第二波长段的光，从而使该发光二极管总共发射各种不同波本文档来自技高网...

【技术保护点】
发射射线的半导体器件，具有一个具有半导体多层结构的半导体主体，该半导体多层结构适合于从紫外、蓝和／或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；一个第一导电引线和一个第二导电引线，这两个导电引线分别与所述半导体主体进行导电连接 ；一个含有至少一种发光材料的发光变换元件，所述的发光变换元件将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体器件发射出包括来自于所述半导体主体并穿过所述发光变换元件的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二 波长段射线的多色射线；其中所述的发光变换元件包括光散射颗粒。

【技术特征摘要】
DE 1996-6-26 19625622.4;DE 1996-9-20 19638667.51.发射射线的半导体器件，具有一个具有半导体多层结构的半导体主体，该半导体多层结构适合于从紫外、蓝和/或绿色的光谱范围中发射第一波长段的电磁射线；一个第一导电引线和一个第二导电引线，这两个导电引线分别与所述半导体主体进行导电连接；一个含有至少一种发光材料的发光变换元件，所述的发光变换元件将第一波长段的射线变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体器件发射出包括来自于所述半导体主体并穿过所述发光变换元件的第一波长段射线和来自于所述发光材料的第二波长段射线的多色射线；其中所述的发光变换元件包括光散射颗粒。2.如权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述的发光变换元件被构造使得第一波长段射线沿着多个路径经过所述的发光变换元件，其中该多个路径在所述的发光变换元件中具有基本相等的路径长度。3.如权利要求1或者2的半导体器件，其特征在于，所述的发光变换元件将所述的第一波长段射线变换成由不同光谱子区组成的多个第二波长段的射线，从而使该半导体器件发射出包括第一波长段的射线和多个第二波长段的射线的多色射线。4.如权利要求1-3之一的半导体器件，其特征在于，所述的第二波长段包括至少一部分波长大于第一波长段的波长。5.如权利要求1-4之一的半导体器件，其特征在于，所述半导体主体适合于在该半导体器件的工作中发射紫外线，并且所述发光变换元件将该紫外线的至少一部分变换成可见光。6.如权利要求1-5之一的半导体器件，其特征在于，多色射线中的第一波长段和第二波长段至少有一部分位于互补色光谱区域中，并且第一和第二波长段的射线的混合产生白光。7.如权利要求3或者从属于权利要求3的权利要求4-6至少之一的半导体器件，其特征在于，由所述半导体主体发射的第一波长段和所述的第二波长段形成叠加三色光，使得在该半导体器件工作时发射白光。8.如权利要求1-7之一的半导体器件，其特征在于，所述半导体主体发射的射线在波长λ≤520nm处具有发光强度最大值。9.如权利要求8的半导体器件，其特征在于，由所述半导体主体发射的射线在420nm和460nm之间的波长处具有发光强度最大值。10.如权利要求1-9之一的半导体器件，其特征在于，它进一步包括一个形成有缺口的底座，并且其中所述半导体主体设置在所述底座的所述缺口中，并且所述发光变换元件至少部分地填充了所述缺口。11.如权利要求1-10之一的半导体器件，其特征在于，所述的发光变换元件包括具有不同波长变换特性的多个层。12.如权利要求1-11之一的半导体器件，其特征在于，所述发光材料是一种无机发光变换材料。13.如权利要求1-12之一的半导体器件，其特征在于，该发光材料是从一个组中选择，该组具有掺杂稀土的石榴石、掺有稀土的硫代没食子酸盐、掺有稀土的铝酸盐以及掺有稀土的正硅酸盐。14.如权利要求1-13之一的半导体器件，其特征在于，该发光材料是用C...

【专利技术属性】
技术研发人员：U雷，K赫恩，N斯塔施，G韦特，P施洛特，R施米特，J施奈德，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]