半导体器件制造技术

一种半导体器件，由半导体元件产生的热能够被充分去除。半导体器件（１００）包括具有底表面（２ｂ）和与底表面（２ｂ）相对的元件安装表面（２ａ）的基板（２），及具有安装到元件安装表面（２ａ）上的主表面（１ａ）的半导体元件（１）。主表面（１ａ）在长边方向上的长度Ｌ与从底表面（２ｂ）到元件安装表面（２ａ）的距离Ｈ之间的比率Ｈ／Ｌ设定为不小于３．０。当半导体元件为发光元件时，元件安装表面（２ａ）变为空腔（２ｕ）用于容纳元件（１），金属层（１３）设置在空腔（２ｕ）的表面上。当用于外部连接的电极（３２）设置在主表面（１ａ）上时，防止电极（３２）的连接材料（３４）外流的槽在空腔侧上的连接部分处制成在主表面（１ａ）内。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件。尤其是，本专利技术涉及装配有诸如半导体激光器或发光二极管等的半导体发光元件的半导体器件。
技术介绍
因为已经存在提高半导体器件性能的要求，所以安装在半导体器件上的半导体元件产生的热量已经有显著的增加。对于诸如半导体激光器、发光二极管等的半导体发光显示装置来说也是如此。因此，半导体元件安装在其上的材料优选与半导体元件具有相同的热膨胀系数，且具有高导热率。具有改进的放热结构的半导体器件的一个实例在日本已审专利号4-36473中作了披露。这种基板是具有以铜、钨和钼为主要成份的复合材料。其热膨胀系数接近安装的半导体发光元件的热膨胀系数5.0至8.5×10-6/K。另外，其导热率高达200W/m·K或更大。在本专利技术中，元素将用其化学符号表示，铜用Cu表示，钨用W表示等。此外，对于在日本专利公开号2002-232017中披露的专利技术，尽管专利技术目的是提高半导体器件的发光效率，但是设置有导电部分的基板是具有高导热率的平板状陶瓷。然而，根据应用领域，对于这些半导体器件，包括这些类型的发光器件，对半导体元件的高输出有需求。结果，已经具有增加半导体元件尺寸的趋势，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体元件；基板，该基板具有上表面和位于相反侧的底表面，所述半导体元件安装在所述上表面上；比率Ｈ／Ｌ为０．３或更大，其中Ｌ为所述半导体元件的主表面的纵向上的长度，Ｈ为从所述基板的上表面上的半导体 元件安装部到所述底表面的距离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-3-14 069711/20031.一种半导体器件，包括半导体元件；基板，该基板具有上表面和位于相反侧的底表面，所述半导体元件安装在所述上表面上；比率H/L为0.3或更大，其中L为所述半导体元件的主表面的纵向上的长度，H为从所述基板的上表面上的半导体元件安装部到所述底表面的距离。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：石津定，桧垣贤次郎，石井隆，筑木保志，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]