【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关，特别是有关氮化镓系发光二极管发光层的结构。
技术介绍
发光二极管由于具有高耐震性、寿命长，同时耗电量少、发热度小，所以其应用范围遍及日常生活中的各项用品，如各种电子产品的指示灯或光源等。近年来，发光二极管更朝向多色彩及高亮度化发展，其中，能达到实用程度的高效率且高亮度的蓝光发光二极管，一直是学界和产业界的研发重点。日本日亚化学公司(Nichia)于1995年10月宣称成功研制蓝光具高亮度的氮化铟镓发光二极管后，在全球光电产业界造成很大的震撼，各界都积极投入经费及人力研发氮化镓系(例如氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等)发光二极管。如图1所示，现有的氮化镓系发光二极管，其传统结构为以蓝宝石为基板10，然后在此蓝宝石基板10的一侧，依序从下而上分别磊晶形成一N型氮化镓接触层11、一氮化铟镓发光层12、一P型氮化镓接触层13，最后，再于P型氮化镓接触层13和N型氮化镓接触层11上分别形成一正电极14和负电极15。在此传统结构下的氮化镓系发光二极管，其发光层主要是以氮化铟镓(InxGa1-xN，0≤x≤1)为势阱(Potential Well)的多重量子井...
【技术保护点】
一种氮化镓系发光二极管的发光层结构的制作方法，此氮化镓系发光二极管是以蓝宝石为基板，于此蓝宝石基板从下而上依序分别包含有一Ｎ型氮化镓接触层、一发光层覆盖该Ｎ型氮化镓接触层的部份表面、以及一Ｐ型氮化镓接触层覆盖该发光层，该Ｐ型氮化镓接触层和该Ｎ型氮化镓接触层的未被覆盖的表面上分别有一正电极和一负电极，其中，该发光层从下而上依序分别包含有：（１）一下势垒层，该下势垒层是以未掺杂的氮化铝镓铟（Ａｌ↓［１－ｘ－ｙ］Ｇａ↓［ｘ］Ｉｎ↓［ｙ］Ｎ，０≤ｘ，ｙ≤１）为材料；（ ２）至少一层重复叠加的中间层，其中，当该中间层数大于一时，上下相邻的该中间层之间，夹...
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓系发光二极管的发光层结构的制作方法，此氮化镓系发光二极管是以蓝宝石为基板，于此蓝宝石基板从下而上依序分别包含有一N型氮化镓接触层、一发光层覆盖该N型氮化镓接触层的部份表面、以及一P型氮化镓接触层覆盖该发光层，该P型氮化镓接触层和该N型氮化镓接触层的未被覆盖的表面上分别有一正电极和一负电极，其中，该发光层从下而上依序分别包含有(1)一下势垒层，该下势垒层是以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN，0≤x，y≤1)为材料；(2)至少一层重复叠加的中间层，其中，当该中间层数大于一时，上下相邻的该中间层之间，夹有一中间势垒层，该中间势垒层是以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-i-jGaiInjN，0≤i，j≤1)为材料；以及(3)一上势垒层，该上势垒层是以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN，0≤x，y≤1)为材料。2.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中该中间层进一步由下而上包含一以氮化铟为材料的第一超薄量子点层，和一以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-m-nGamInnN，0≤m，n≤1)为材料的量子井层。3.如权利要求2所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中该中间层于该量子井层上进一步包含一以氮化铟为材料的第二超薄量子点层。4.如权利要求2所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中，该上势垒层、中间势垒层、下势垒层厚度均是介于5～300之间，第一超薄量子点层厚度是介于2～30之间。5.如权利要求3所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中，该上势垒层、中间势垒层、下势垒层厚度均是介于5～300之间，第一超薄量子点层、以及第二超薄量子点层厚度均是介于2～30之间。6.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中该中间层进一步由下而上包含一以氮化铟为材料的第一超薄层，和一以未掺杂的氮化铝镓铟(Al1-m-nGamInnN，0≤m，n≤1)为材料的量子井层。7.如权利要求6所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中该中间层于该量子井层上进一步包含一以氮化铟为材料的第二超薄层。8.如权利要求6所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中，该上势垒层、中间势垒层、下势垒层厚度均是介于5～300之间，而第一超薄层厚度是介于2～10之间。9.如权利要求7所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中，该上势垒层、中间势垒层、下势垒层厚度均是介于5～300之间，而第一超薄层、以及第二超薄层厚度均是介于2～10之间。10.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管的发光层结构，其中，该中间层是由至少一层、以氮化铟为材料的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：游正璋，涂如钦，武良文，温子稷，简奉任，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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