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氮化镓系发光二极管的制作方法技术
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文档序号:3196743
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能同时提高其发光效率和成长出磊晶特性较佳的磊晶膜的氮化镓系发光二极管的制作方法。是位于N型氮化镓接触层和P型氮化镓接触层之间,由N型氮化镓接触层往上依序分别形成一下势垒层(Lower BarrierLayer)、至少一层的中间层(Inte...
该专利属于璨圆光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过璨圆光电股份有限公司授权不得商用。
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