发光半导体接着结构及其方法技术

一种发光半导体接着结构及其方法，其主要是通过一基板接着一发光半导体的结构，且该基板是一具有电气线路的结构，该发光半导体中的Ｎ型接触层与Ｐ型接触层分别形成一欧母接触的Ｎ电极层与Ｐ电极层；以及该基板表面通过浸镀法或沉积法形成第一金属层以及第二金属层，而分别电气连接至该基板电气线路的对应电气讯号输出入节点，且第一金属层以及第二金属层，分别与发光半导体的Ｎ电极层以及Ｐ电极层相互配合，使得该第一金属层以及第二金属层通过超音波熔接而分别对应Ｎ电极层以及Ｐ电极层而相互接着，用以将发光半导体接着于基板上，并形成电气连接。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种，特别是提供发光半导体接着于该基板上，并形成电气连接。
技术介绍
传统发光半导体接着结构方法中，通过一般的覆晶(flip chip)过程中，而达到其发光半导体接着至一电气控制的基板上。参考图3所显示的现有技术的发光半导体接着结构，其是通过一基板301接着一发光半导体302的结构。其中，该基板301是一具有电气线路的结构，且该发光半导体302是一发光二极管组件，以氮化镓(GaN)是发光二极管组件来说，该发光半导体302中具有一N型接触层303以及一P型接触层304，其中，该N型接触层303，由N型的氮化镓材质所形成，其一裸露侧形成一欧母接触的N电极层303a，该N电极层303a形成一第一金属凸缘303b；以及该P型接触层304，由P型的氮化镓材质所形成，其一裸露侧形成一欧母接触的P电极层304a，该P电极层304a形成一第二金属凸缘304b。因而使得该发光半导体302可通过其第一金属凸缘303b以及第二金属凸缘304b，并利用芯片覆合机(Flip Chip Bonder)焊接至基板301上，用以提供该基板101与发光半导体102之间的电气讯号输出入。然而，如果其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光半导体接着结构，其主要是通过一基板接着一发光半导体的结构，且该基板是一具有电气线路的结构，该发光半导体中的Ｎ型接触层与Ｐ型接触层分别形成一欧母接触的Ｎ电极层与Ｐ电极层；以及该基板表面具有第一金属层以及第二金属层，分别电气连接 至该基板电气线路的对应电气讯号输出入节点，且第一金属层以及第二金属层，分别与发光半导体的Ｎ电极层以及Ｐ电极层相互配合，使得该第一金属层以及第二金属层分别对应Ｎ电极层以及Ｐ电极层而相互接着，用以将该发光半导体接着于该基板上，并形成电气连接。

【技术特征摘要】
1.一种发光半导体接着结构，其主要是通过一基板接着一发光半导体的结构，且该基板是一具有电气线路的结构，该发光半导体中的N型接触层与P型接触层分别形成一欧母接触的N电极层与P电极层；以及该基板表面具有第一金属层以及第二金属层，分别电气连接至该基板电气线路的对应电气讯号输出入节点，且第一金属层以及第二金属层，分别与发光半导体的N电极层以及P电极层相互配合，使得该第一金属层以及第二金属层分别对应N电极层以及P电极层而相互接着，用以将该发光半导体接着于该基板上，并形成电气连接。2.如权利要求1所述的发光半导体接着结构，其中，该基板形成一导线架，用以电气连接至发光半导体，而提供该发光半导体的电气讯号输出入。3.如权利要求1所述的发光半导体接着结构，其中，该第一金属层以及第二金属层的面积，分别对应N电极层以及P电极层，而形成相近大小的接触面积。4.一种发光半导体接着方法，其是一基板接着一发光半导体的方法，且该基板是一具有电气线路的结构，该发光半导体中的N型接触层与P型接触层分别形成一欧母接触的N电极层与P电极层，其步骤包括在该基板上的对应位置，沉积形成该第一金属层以及第二金属层，且该第一金属层以及第二金属层位置对应N电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘锡明，简奉任，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]