具有窄辐射光谱的半导体发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体发光器件。当从电极向有源层注入电流时产生辐射。一对包层设置为夹持有源层，所述包层具有比有源层带隙宽的带隙。光吸收层设置在一对包层中至少一个包层外部。光吸收层具有比有源层带隙宽且比包层带隙窄的带隙。能够使辐射光的光谱扩展变窄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光器件(light emitting device)，更特别地涉及一种能够使辐射光的光谱扩展(spread)变窄的半导体发光器件。
技术介绍
可运用具有红外范围内带隙的半导体材料制造红外发光器件。JP2002344013 A披露了一种用于红外空间光通讯的发光器件，其将InGaAs应力量子阱(strain quantum well)层用作有源层。该发光器件具有夹于一对AlGaAs载流子(carrier)限制层之间的InGaAs应力量子阱层，并且该叠层结构夹于P型AlGaAs包层和N型AlGaAs包层。JP2002344013 A中披露的发光器件的辐射光谱在红外波长范围内具有最大强度。可是，光谱的边缘(skirt)扩展至可见范围(visual range)。因此，发光器件的辐射光略带微红色。如果辐射光包含可见光，则限制了发光器件的使用。例如，该发光器件不能用于禁止可见光发射的应用中。如果使发光器件发出的光谱扩展变窄，则能够抑制可见光的产生。
技术实现思路
本专利技术的一个目的时提供一种能够使辐射光的光谱扩展变窄的半导体发光器件。根据本专利技术的一个方面，提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，其包括：　　　　基于电流注入用于发射光的有源层；　　　　一对夹持所述有源层的包层，所述包层具有比所述有源层的带隙宽的带隙；　　　　设置在所述包层对中至少一个包层外部的光吸收层，所述光吸收层具有比所述有源层的所述带隙宽且比所述包层的所述带隙窄的带隙；以及　　　　用于注入电流到所述有源层中的电极。

【技术特征摘要】
JP 2004-10-5 292326/041.一种半导体发光器件，其包括基于电流注入用于发射光的有源层；一对夹持所述有源层的包层，所述包层具有比所述有源层的带隙宽的带隙；设置在所述包层对中至少一个包层外部的光吸收层，所述光吸收层具有比所述有源层的所述带隙宽且比所述包层的所述带隙窄的带隙；以及用于注入电流到所述有源层中的电极。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光吸收层的所述带隙比对应一波长的带隙窄，在该波长处强度为所述有源层的辐射光谱的最大值的10％，该波长位于比所述辐射光谱具有所述最大值处的波长短的波长范围内。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述有源层的所述带隙与所述光吸收层的所述带隙之间的差为0.11eV或更小。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述有源层由InGaAs制成并且所述光吸收层由AlGaAs制成。5.一种半导体发光器件，其包括基于电流注入用于发光的有源层；一对夹持所述有源层的包层；设置在所述包层对的至少一个包层外部的光吸收层，所述光吸收层具有一波长，在该波长处吸收光谱具有最大值，该波长比所述有源层的辐射光谱具有最大值处的波长短而比强度变为所述最大值的10％处的位于短...

【专利技术属性】
技术研发人员：笹仓贤，川口惠藏，小野华子，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]