制造光电器件的方法技术

本发明专利技术提供一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种。
技术介绍
由于例如能源的枯竭和地球的环境污染，所以已经考虑开发清洁能源。作为清洁能量，光伏能量(使用太阳能电池产生)可以从太阳光直接转化，因此已经视为可再生的能源。
技术实现思路
实施例涉及。实施例可以通过提供一种制造太阳能电池的方法来实现，所述方法包括提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。第一沉积工艺可以包括在沉积室中提供基底；以及将第一掺杂源提供到沉积室，第二沉积工艺可以包括在沉积室中提供基底；以及将第二掺杂源提供到沉积室。第一掺杂源可 以包括P0C13。提供第一掺杂源的步骤可以包括在载体中运送第一掺杂源，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。

【技术特征摘要】
2011.10.13 US 61/546,642;2012.08.07 US 13/568,4621.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括 提供具有第一导电类型的半导体基底； 执行第一沉积エ艺，所述第一沉积エ艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层； 执行推阱エ艺，所述推阱エ艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热； 在执行推阱エ艺之后执行第二沉积エ艺，第二沉积エ艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型； 用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及 在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。2.如权利要求1所述的方法，其中 第一沉积エ艺包括在沉积室中提供基底；以及将第一掺杂源提供到沉积室，以及 第二沉积エ艺包括在沉积室中提供基底；以及将第二掺杂源提供到沉积室。3.如权利要求2所述的方法，其中，第一掺杂源包括P0C13。4.如权利要求2所述的方法，其中，提供第一掺杂源的步骤包括在载体中运送第一掺杂源，从而以5%至7%的浓度包括第一掺杂源。5.如权利要求2所述的方法，其中，执行将第一掺杂源提供到沉积室的步骤达10分钟至20分钟。6.如权利要求2所述的方法，其中，第二掺杂源包括P0C13。7.如权利要求2所述的方法，其中，提供第二掺杂源的步骤包括在载体中运送第二掺杂源，从而以10%或更大的浓度包括第二掺杂源。8.如权利要求2所述的方法，其中，执行将第二掺杂源提供到沉积室的步骤达3分钟至8分钟。9.如权利要求2所述的方法，其中 提供第一掺杂源达第一时间段， 提供第二掺杂源达第二时间段，以及 第一时间段比第二时间段长。10.如权利要求2所述的方法，其中 提供第一掺杂源的步骤包括在ー种载体中运送第一掺杂源，从而以第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴商镇，宋珉澈，朴省赞，金东燮，金元均，徐祥源，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：