制造光电器件的方法技术

本发明专利技术提供一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种。
技术介绍
由于例如能源的枯竭和地球的环境污染，所以已经考虑开发清洁能源。作为清洁能量，光伏能量(使用太阳能电池产生)可以从太阳光直接转化，因此已经视为可再生的能源。
技术实现思路
实施例涉及。实施例可以通过提供一种制造太阳能电池的方法来实现，所述方法包括提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。第一沉积工艺可以包括在沉积室中提供基底；以及将第一掺杂源提供到沉积室，第二沉积工艺可以包括在沉积室中提供基底；以及将第二掺杂源提供到沉积室。第一掺杂源可 以包括P0C13。提供第一掺杂源的步骤可以包括在载体中运送第一掺杂源，从而以大约5%至大约7%的浓度包括第一掺杂源。可以执行将第一掺杂源提供到沉积室的步骤达大约10分钟至大约20分钟。第二掺杂源可以包括P0C13。提供第二掺杂源的步骤可以包括在载体中运送第二掺杂源，从而以大约10%或更大的浓度包括第二掺杂源。可以执行将第二掺杂源提供到沉积室的步骤达大约3分钟至大约8分钟。可以执行提供第一掺杂源的步骤达第一时间段，可以执行提供第二掺杂源的步骤达第二时间段，第一时间段可以比第二时间段长。提供第一掺杂源的步骤可以包括在一种载体中运送第一掺杂源，从而以第一浓度包括第一掺杂源，提供第二掺杂源的步骤可以包括在另一种载体中运送第二掺杂源，从而以第二浓度包括第二掺杂源，第二浓度可以大于第一浓度。可以在惰性气氛下在大约800°C至大约900°C下执行推阱工艺达大约30分钟至大约50分钟。推阱工艺可以包括在基底的第一表面处形成发射极层。将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热的步骤还可以包括在基底的第一表面处相邻于接触层形成窗口层，使得窗口层的掺杂浓度比接触层的掺杂浓度低。所述方法还可以包括在将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热之后，去除第一掺杂材料层和第二掺杂材料层。去除第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的步骤可以包括用酸溶液进行蚀刻。所述方法还可以包括在将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热之后，在基底上形成抗反射层。所述方法还可以包括在基底的第二表面上形成背表面场层，使得背表面场层具有第一导电类型。 实施例还可以通过提供一种制造太阳能电池的方法来实现，所述方法包括提供半导体基底，半导体基底具有第一导电类型；执行第一沉积工艺，第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；使第一掺杂材料层的掺杂剂快速地扩散到基底中，从而在基底的第一表面处形成发射极层；在使掺杂剂快速地扩散之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型，第一掺杂材料层与第二掺杂材料层一起具有可变的浓度梯度，从而第一掺杂材料层和第二掺杂材料层中的氧化硅的浓度随着接近于基底而成比例地增大；使第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的掺杂剂选择性地扩散到发射极层中，从而在基底的第一表面的部分处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，实施例对于本领域普通技术人员来讲将变得清楚，在附图中图1和图2示出了显示出根据实施例的光电器件的结构的示意图；以及图3A至图3M示出了显示出根据实施例的中的阶段的剖视图。具体实施例方式现在，在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使本公开将是彻底的且完整的，并将把本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清楚地进行举例说明，会夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的标号始终表不相同的兀件。图1和图2示出了显示出根据实施例的光电器件的结构的示意图。参照图1和图2，光电器件可以包括半导体基底100、交替地形成在半导体基底100上的接触层IOOc和窗口层IOOw以及位于接触层IOOc上的第一电极110。半导体基底100可以具有第一表面SI和与第一表面SI相对的第二表面S2。例如，第一表面SI可以是半导体基底100的光接收表面,第二表面S2可以是与光接收表面相对的相反表面。当在第一表面SI上接收光时，半导体基底100可以生成载流子。载流子是指当光被吸收到半导体基底100中时产生的空穴和电子。半导体基底100可以被形成为例如具有η或P导电类型的单晶或多晶娃基底。例如，半导体基底100可以是P型单晶娃基底。可以在半导体基底100的第一表面SI上形成微粗糙度。例如，可以在半导体基底100的第一表面SI上形成包括粗糙图案的纹理结构R。纹理结构R可以减小入射光的反射率，并可以提高光获取效率，从而有助于入射光尽可能多地吸收到半导体基底100中。接触层IOOc和窗口层IOOw可以形成在半导体基底100的第一表面SI处。例如，接触层IOOc和窗口层IOOw可以沿半导体基底100的第一表面SI交替地形成。在图2中，Ac和Aw分别表示形成接触层IOOc和窗口层IOOw的区域。接触层IOOc和窗口层IOOw可以用导电类型与半导体基底100的导电类型相反或相对的材料掺杂，因此可以形成ρ-η结。例如，可以通过将η型掺杂剂注入到P型半导体基底100中来将接触层IOOc和窗口层IOOw形成为导电类型相反的掺杂层。接触层IOOc和窗口层IOOw可以具有相同的导电类型，但是具有不同的掺杂水平。例如，接触层IOOc可以以闻浓度惨杂，窗口层IOOw可以以低浓度惨杂。接触层IOOc可以是这样的区域，在该区域中，选择性地以高浓度掺杂电极结合部分(其上将设置第一电极110)，并 且接触层IOOc可以形成选择性发射极，在选择性发射极上局部地形成用于收集由半导体基底100产生的少数载流子的发射极。例如，可以通过使用金属材料在接触层IOOc上形成第一电极110，并可以通过以高浓度掺杂电极结合部分来减小与第一电极110的接触电阻。窗口层IOOw可以为半导体基底100提供适当的入射表面。当光入射在窗口层IOOw上时，半导体基底100可以产生载流子。可以通过以高浓度掺杂接触层100c(在其上设置第一电极110)来减小与第一电极110的接触电阻。因此，可以减小由集中在半导体基底100的表面上的过多的掺杂剂引起的表面复合损失，并可以通过以低浓度掺杂窗口层IOOw (在其上不设置第一电极110)来提高相对于靠近表面吸收的短波长的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。

【技术特征摘要】
2011.10.13 US 61/546,642;2012.08.07 US 13/568,4621.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括 提供具有第一导电类型的半导体基底； 执行第一沉积エ艺，所述第一沉积エ艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层； 执行推阱エ艺，所述推阱エ艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热； 在执行推阱エ艺之后执行第二沉积エ艺，第二沉积エ艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型； 用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及 在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。2.如权利要求1所述的方法，其中 第一沉积エ艺包括在沉积室中提供基底；以及将第一掺杂源提供到沉积室，以及 第二沉积エ艺包括在沉积室中提供基底；以及将第二掺杂源提供到沉积室。3.如权利要求2所述的方法，其中，第一掺杂源包括P0C13。4.如权利要求2所述的方法，其中，提供第一掺杂源的步骤包括在载体中运送第一掺杂源，从而以5%至7%的浓度包括第一掺杂源。5.如权利要求2所述的方法，其中，执行将第一掺杂源提供到沉积室的步骤达10分钟至20分钟。6.如权利要求2所述的方法，其中，第二掺杂源包括P0C13。7.如权利要求2所述的方法，其中，提供第二掺杂源的步骤包括在载体中运送第二掺杂源，从而以10%或更大的浓度包括第二掺杂源。8.如权利要求2所述的方法，其中，执行将第二掺杂源提供到沉积室的步骤达3分钟至8分钟。9.如权利要求2所述的方法，其中 提供第一掺杂源达第一时间段， 提供第二掺杂源达第二时间段，以及 第一时间段比第二时间段长。10.如权利要求2所述的方法，其中 提供第一掺杂源的步骤包括在ー种载体中运送第一掺杂源，从而以第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴商镇，宋珉澈，朴省赞，金东燮，金元均，徐祥源，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：