用于制造包括二氧化硅层的光伏元件的方法技术

本发明专利技术涉及用于制造包括二氧化硅层的光伏元件的方法，更具体而言涉及太阳能电池的制造。在这种情况下，使用附加的二氧化硅层，该二氧化硅层是通过具有小于200nm的波长的UV照射而制造的，并且可以改善在硅上的界面特性，可以帮助减少由表述“背景镀覆”已知的干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造光伏元件的方法。
技术介绍
数十年来，已经知道基于硅基板的光伏元件，更具体而言所谓的太阳能电池的制造，并且它是广泛开发活动的对象。在已知的制造方法中，通常在基板上使用氮化硅层，所述层具有与增加电荷载流子寿命和抑制反射有关的任务。这样的层可以通过例如等离子体法、特别是PECVD法(等离子体增强化学气相沉积)来沉积。在氮化硅层中引入开口，目的是与硅基板中的导电区域(例如，其中的P型掺杂层)接触并且将其连接到导体轨。
技术实现思路
在此基础上，本专利技术解决了进一步改进这些制造方法的技术问题。所述问题通过用于制造光伏元件的方法来解决，所述方法包括以下步骤在硅基板上制造氮化硅层，在氮化硅层中制造开口，制造至少部分位于氮化硅`层的开口中的导电接触连接，其特征在于，在制造接触连接之前，在硅基板上制造二氧化硅层，并且在氧(O)物质和氢氧(O-H)物质中至少之一的存在下、在使用具有小于200nm的波长的UV光照射期间通过硅的氧化来制造该二氧化硅层。此外，本专利技术还涉及UV源的相应的用途。因此，根据本专利技术的改进在于二氧化硅层，所述二氧化硅层通过涉及氧物质和/或氢氧物质以及对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造光伏元件的方法，包括以下步骤：在硅基板(1)上制造氮化硅层(7)；在所述氮化硅层(7)中制造开口；制造至少部分位于所述氮化硅层(7)的所述开口中的导电接触连接(8，9)，其特征在于，在制造所述接触连接(8，9)之前，在所述硅基板(1)上制造二氧化硅层(6)，以及在氧物质和氢氧物质中的至少之一的存在下、在使用具有小于200nm的波长的UV光照射(3)期间通过硅(1)的氧化来制造所述二氧化硅层(6)。

【技术特征摘要】
2011.10.17 DE 102011084644.11.一种用于制造光伏元件的方法，包括以下步骤 在娃基板(I)上制造氮化娃层(7)； 在所述氮化硅层(7)中制造开口 ； 制造至少部分位于所述氮化硅层(7)的所述开口中的导电接触连接(8，9)， 其特征在于，在制造所述接触连接(8，9)之前，在所述硅基板(I)上制造二氧化硅层(6)，以及 在氧物质和氢氧物质中的至少之一的存在下、在使用具有小于200nm的波长的UV光照射(3)期间通过硅(I)的氧化来制造所述二氧化硅层(6)。2.根据权利要求1所述的方法， 其中在时间上在所述氮化硅层(7)之前并且在空间上在所述氮化硅层(7)和所述硅基板(I)之间制造所述二氧化硅层(6)。3.根据权利要求2所述的方法， 其中在制造所述接触连接(8，9)时在至少包括所述氮化硅层(7)仍然存在之处的整个区域之上制造所述二氮化硅层(6)。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法， 其中使用O2气氛且在不...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·罗斯，西格马尔·鲁达科夫斯基，
申请(专利权)人：欧司朗股份有限公司，
类型：发明
国别省市：