含具有改良光谱测定反应的半导体检测器的电离辐射检测装置制造方法及图纸

此发明专利技术有关于电离辐射检测装置，其包含由于电极(3.1,3.2)而倾向加偏压的半导体材料的检测器(1)，其中连接至读取电路(2)的读取电极(3.2)处理其提供的信号，以拒斥造成不良光谱测定反应的信号，也就是通过诱发共享所影响的信号及可能通过电荷或电子杂讯共享所影响的信号。本发明专利技术应用于电离辐射成像。

【技术实现步骤摘要】
含具有改良光谱测定反应的半导体检测器的电离辐射检测装置
本专利技术为关于含具有改良光谱测定反应的半导体的电离辐射检测装置。这些电离辐射检测装置特别适用于非破坏性地检查材料、寻找危险或非法物质，例如行李。这些待检查的材料或行李接着被放置于检测装置和电离辐射源之间。另外，其他应用可为医学及活体观察。这些电离辐射检测装置允许成像待检查的物体或活体。
技术介绍
具有半导体检测器的电离辐射检测装置包含用于电离辐射5的半导体材料检测器1，其配合电子电路2以读取通过半导体检测器1提供的信号。可参考图1。电离辐射检测器1包含具有一般平行六面体形状的半导体材料的晶体1.1，电离辐射检测器1的一般的二相对主要表面1.2、1.3各带有一或多个电极。在影像应用中，半导体材料晶体普遍地具有于介于数百微米至数毫米或甚至数厘米之间的厚度，以及几平方厘米或甚至数十平方厘米的区域。举例而言，半导体材料可为镉锌碲、碲化镉、碘化汞、砷化镓或硅，且电离辐射5可为阿尔法、贝塔、仑琴或伽玛射线，或甚至中子。中子并不是直接地电离辐射，而是通过当中子与物质相互作用时创造微粒物质，而诱发电离辐射。自设有电极的半导体晶体1.1的主要表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电离辐射检测装置，其包含由于电极(3.1,3.2)而倾向加偏压的半导体材料的检测器(1)，其中读取电极(3.2)在电离辐射与所述检测器的所述半导体材料之间交互作用的期间，能够收集所述检测器中所产生的电荷，且所述读取电极连结至读取电路(2)，所述读取电路包含:当所述电荷已通过所述读取电极的其中之一而被收集时，能够提供脉冲的第一处理元件(2.3)，所述脉冲为相对基线而形成；用以处理通过所述第一处理元件所提供的所述脉冲的第二处理元件(2.4)，所述第二处理元件包含：在基线跨接于所述脉冲的起始及结束之间后，用以测定包括所述脉冲的时间参数或所述脉冲的振幅值的参数的测定元件(202)；用以拒斥取决于所...

【技术特征摘要】
2011.07.01 FR 11559531.一种电离辐射检测装置，其包含由于电极(3.1,3.2)而倾向加偏压的半导体材料的检测器(1)，其中读取电极(3.2)在电离辐射与所述检测器的所述半导体材料之间交互作用的期间，能够收集所述检测器中所产生的电荷，且所述读取电极连结至读取电路(2)，所述读取电路包含:第一处理元件(2.3)，当所述电荷已通过所述读取电极的其中之一而被收集时，能够提供脉冲，所述脉冲为相对基线而形成；第二处理元件(2.4)，用以处理通过所述第一处理元件所提供的所述脉冲，所述第二处理元件包含：测定元件(202)，在基线跨接于所述脉冲的起始及结束之间后，用以测定所述脉冲的特征参数，其中所述特征参数来自所述脉冲的时间参数或所述脉冲的振幅值；以及拒斥元件(203)，用以拒斥基于所述特征参数中的振幅值的所述脉冲，以及如果所述脉冲不被拒斥，则用以保存所述脉冲；以及运算元件(2.5)，用以运算通过所述拒斥元件保存的所述脉冲。2.如权利要求1所述的电离辐射检测装置，其特征在于：所述特征参数为选自于所述脉冲的上升时间的所述时间参数，所述上升时间经过于所述脉冲的起始及跨接所述脉冲的第一基线之间。3.如权利要求1所述的电离辐射检测装置，其特征在于：在所述基线跨接于所述脉冲的起始及结束之间后，所述脉冲的所述振幅值为所述脉冲的最小值(Min(i))。4.如权利要求1所述的电离辐射检测装置，其特征在于：当所述脉冲为类比时，则所述时间参数对应至延时，于所述延时中所述脉冲具有正振幅。5.如权利要求1所述的电离辐射检测装置，其特征在于：所述第一处理元件(2.3)包含类比处理元件(2.1)，所述类比处理元件包含电荷前置放大器(2.10)，所述类比处理元件(2.1)为能够提供类比脉冲，所述类比脉冲的振幅与通过所述读取电极的其中之一收集的所述电荷成正比。6.如权利要求1所述的电离辐射检测装置，其特征在于：当所述电荷已通过所述读取电极的其中之一而被收集时，则所述第一处理元件(2.3)包含能够提供数位脉冲的数位处理元件(2.2)，通过离散信号的递变而形成所述数位脉冲。7.如权利要求6所述的电离辐射检测装置，其特征在于：所述数位处理元件(2.2)包含数字化器(2.20)。8.如权利要求1所述的电离辐射检测装置，其特征在于：所述第二处理元件(2.4)为数位，所述第一处理元件能将所述脉冲转换为数位脉冲。9.如权利要求8所述的电离辐射检测装置，其特征在于：所述第二处理元件(2.4)还包含用以测定时间偏差的元件(204)，所述时间偏差为通过所述第一处理元件(2.3)提供且来自二相邻的所述读取电极的二数位脉冲之间，用以拒斥所述二数位脉冲的其中之一，以及用以保存取决于所述时间偏差的所述二数位脉冲中之另一数位脉冲的所述拒斥元件(203)。10.如权利要求9所述的电离辐射检测装置，其特征在于：所述时间偏差为所述数...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈·布莱姆比拉，派翠克·奥维尔·巴菲特，
申请(专利权)人：法国原子能与替代能委员会，
类型：发明
国别省市：