【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在显示装置等中被广泛使用的发光二极管，更详细说就是涉及把AlGaInP作为发光层材料使用的同时，把ITO(氧化铟锡)作为透明电极材料使用的发光二极管。
技术介绍
AlGaInP发光层利用组成比能从绿色到红色地进行发光。这样，包含所述AlGaInP发光层的发光二极管就作为显示元件来使用。直到现在，所述发光二极管为了其高亮度化而正在实施发光二极管的各种元件结构。现有的作为具备AlGaInP发光层的发光二极管，在特开平11-4020号公报中就被公开了。如图6所示，所述发光二极管具备在n型GaAs基板31上顺次层合的n型缓冲层32、n型DBR(Distributed Bragg Reflector(分布式布拉格反射镜))膜33、n型AlInP包层34、p型AlGaInP有源层35、p型AlInP包层36、透明电极用p型接触层37、n型电流阻挡层38、Zn层39、透明电极310。所述阻挡层38，利用光刻法成形为圆板形状，并仅把接触层37的中央部覆盖。所述透明电极310通过溅射法形成。311是引线接合用电极，312是n侧电极。根据上述结构的发光二极管，通过采...
【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，其包括：由ＡｌＧａＩｎＰ构成发光层、由氧化铟锡构成的透明电极和用于所述透明电极的接触层，所述接触层的载流子浓度是大于或等于１．０×１０↑［１９］ｃｍ↑［－３］，且小于或等于５．０×１０↑［１９］ｃｍ↑［－ ３］。
【技术特征摘要】
JP 2004-9-13 265156/041.一种发光二极管，其特征在于，其包括由AlGaInP构成发光层、由氧化铟锡构成的透明电极和用于所述透明电极的接触层，所述接触层的载流子浓度是大于或等于1.0×1019cm-3，且小于或等于5.0×1019cm-3。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层由GaAs构成。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层由AlGaInP构成。4.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：村上哲朗，渡边信幸，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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