温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种发光二极管，其具备ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ有源层（１５）、透明电极用ｐ型ＧａＡｓ接触层（１７）和ＩＴＯ透明电极（１１０）。该ｐ型ＧａＡｓ接触层（１７）的载流子浓度设定为是１．０×１０↑［１９］ｃｍ↑［－３］。...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。