【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，更具体地，涉及。尽管本专利技术适合于宽范围的应用，但其特别适合于以在STI边缘区域上预先执行规定的预处理的方式形成具有均匀厚度的高电压装置栅氧化物层。
技术介绍
近来，随着半导体装置设计技术逐渐以高度集成化发展，集成于一个半导体芯片上的系统已经被尝试。这样的单芯片的实施发展成一种将控制器，存储器，以低电压驱动的电路，和其它元件的功能组合成一个芯片的技术。为减小系统的大小，用于调节系统功率的起输入和输出端作用的电路可被并入一个芯片。这可以通过使高电压和低电压晶体管统一到一个芯片中得以实现。为将高和低电压装置集成于一个芯片时，高电压装置的栅氧化物层应比低电压装置的厚。因此，双栅氧化物层被典型地使用。与由化学气相沉积(CVD)形成的氧化物层相比，由热氧化形成的氧化物层典型地优选作为双栅氧化物层。对于使用厚氧化物层作为栅氧化物层的高电压装置，氧化物层的边缘受其周边区域周围的结构的影响。如果栅氧化物层的厚度减小，关断电流由于此影响而增加。关断电流的增加使装置的静态功耗增加，从而对该装置的工作具有负面影响，并导致击穿电压下降。同样，关断电流的...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括半导体基板，具有有源区域和无源区域，所述有源区域包括高电压装置区域和低电压装置区域；装置隔离层，其在半导体基板的无源区域上；以及栅氧化物层，其在半导体基板的高电压装置区域上，该栅氧化物层具有均匀的 厚度。
【技术特征摘要】
KR 2004-12-31 10-2004-01182881.一种半导体装置，包括半导体基板，具有有源区域和无源区域，所述有源区域包括高电压装置区域和低电压装置区域；装置隔离层，其在半导体基板的无源区域上；以及栅氧化物层，其在半导体基板的高电压装置区域上，该栅氧化物层具有均匀的厚度。2.权利要求1的半导体装置，进一步包括在装置隔离层的边缘上的缓冲氧化物层。3.权利要求1的半导体装置，所述装置隔离层包括与半导体基板相邻的部分上的牺牲氧化物层；牺牲层上的衬氧化物层；以及衬氧化物层上的间隙填充氧化物层。4.权利要求1的半导体装置，所述装置隔离层包括，与半导体基板相邻的部分上的衬氧化物层，其在与半导体基板的顶表面接触的部分具有圆形横断面；以及衬氧化物层上的间隙填充氧化物层。5.权利要求1的半导体装置，其中所述装置隔离层包括从半导体基板的顶表面突出的部分，并且其中所突出的部分的横向侧具有相对于半导体基板的顶表面大于90°的外角。6.权利要求1的半导体装置，其中所述栅氧化物层包括通过热氧化过程形成的热氧化物层。7.一种制造半导体装置的方法，包括步骤准备具有有源区域和无源区域的半导体基板，所述有源区域具有高电压装置区域和低电压装置区域；在半导体基板的无源区域上形成装置隔离层；以及在半导体基板的高电压装置区域上形成栅氧化物层，以具有均匀的厚度。8.权利要求7的方法，其中所述装置隔离层形成步骤包括步骤在半导体基板的无源区域中形成沟槽；在沟槽的内表面上形成牺牲氧化物层；在牺牲氧化物层上形成衬氧化物层；以及在衬氧化物层上形成间隙填充氧化物层以便填上所述沟槽。9.权利要求7的方法，所述装置隔离层...
【专利技术属性】
技术研发人员：金昌男，
申请(专利权)人：东部亚南半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。