半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件１包括绝缘中间层１０、互连部分１２ａ到１２ｃ、绝缘中间层２０以及电容器元件３０。在绝缘中间层１０和互连部分１２ａ到１２ｄ上，经由扩散阻挡层４０提供绝缘中间层２０。在绝缘中间层２０上提供电容器元件３０。电容器元件３０是ＭＩＭ型电容器元件，并且包括位于绝缘中间层２０上的下部电极３２、位于下部电极３２上的电容器绝缘层３４、以及位于电容器绝缘层３４上的上部电极３６。在绝缘中间层２０和电容器元件３０之间的分界面Ｓ１大体上是平的。绝缘中间层２０的下表面Ｓ２在与电容器绝缘层３４对应的位置处包括不平坦部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，人们开始普遍使用金属—绝缘体—金属(下文为MIM)型的电容器元件，其寄生电阻和寄生电容明显小于传统的MOS型电容器元件。MIM型电容器元件也可以被集成在逻辑器件中从而组成一个单片芯片。为了获得这种结构，必须结合这两种器件的结构和制造工艺。逻辑器件通常包括层叠在多层中的互连部分。因此，如何使MIM型电容器元件的结构和工艺适用于多层互连结构是一个关键的技术问题。从这些观点来看，已经研发出了一种工艺，通过该工艺使用与建立逻辑器件的多层互连结构的方法类似的方法来形成MIM型电容器元件。在多数传统情况中，正如日本公开专利申请第2003-258107号中所述的那样，MIM型电容器元件形成在其下面没有配置互连部分的区域中，并且很少形成在配置了密集的精细互连部分的区域上。
技术实现思路
但是，目前已经实现了非常高度的集成化，为了减少半导体器件的尺寸，在密集配置了互连部分的区域的上层形成MIM型电容器元件半导体器件变得非常必要。在这点上，本专利技术的专利技术人确定以下问题是必须克服的。目前，由于铜的低阻抗性，在逻辑器件中普遍使用铜来构成多层互连部分。例如当与铝比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：设置在半导体基片上的第一绝缘层；埋入所述第一绝缘层中的导体；设置在所述第一绝缘层和所述导体上的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的下部电极；设置在与至少一部分所述导体相对的所述下部电极上的区域中的电容器绝缘层；和设置在所述电容器绝缘层上的上部电极；其中，所述第二绝缘层和所述下部电极之间的分界面大体上是平整的；并且在所述第二绝缘层的所述第一绝缘层和所述导体一侧的表面上，在与所述电容器绝缘层相对的位置处包括不平坦部分。

【技术特征摘要】
JP 2005-8-12 2005-2346761.一种半导体器件，包括设置在半导体基片上的第一绝缘层；埋入所述第一绝缘层中的导体；设置在所述第一绝缘层和所述导体上的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的下部电极；设置在与至少一部分所述导体相对的所述下部电极上的区域中的电容器绝缘层；和设置在所述电容器绝缘层上的上部电极；其中，所述第二绝缘层和所述下部电极之间的分界面大体上是平整的；并且在所述第二绝缘层的所述第一绝缘层和所述导体一侧的表面上，在与所述电容器绝缘层相对的位置处包括不平坦部分。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导体的表面相对于所述第一绝缘层表面凹陷。3.如权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹胁利至，户田猛，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]