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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件１包括绝缘中间层１０、互连部分１２ａ到１２ｃ、绝缘中间层２０以及电容器元件３０。在绝缘中间层１０和互连部分１２ａ到１２ｄ上，经由扩散阻挡层４０提供绝缘中间层２０。在绝缘中间层２０上提供电容器元...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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