由门阵列结构建立集成电路电容的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种在集成电路内采用门阵列建立电容结构的方法和装置。实施例包括一种方法，所述方法包括：在集成电路设计中布置由Ｐ型场效应晶体管（Ｐ－ｆｅｔ）和Ｎ型场效应晶体管（Ｎ－ｆｅｔ）构成的门阵列；将一个或多个Ｐ－ｆｅｔ的漏极和源极以及一个或多个Ｎ－ｆｅｔ的栅极耦接至电源地；以及将所述一个或多个Ｐ－ｆｅｔ的栅极以及所述一个或多个Ｎ－ｆｅｔ的漏极和源极耦接至电源的正电压。在一些实施例中，通过分别将一个或多个Ｐ－ｆｅｔ和一个或多个Ｎ－ｆｅｔ偏置到正电压和地，使由Ｐ－ｆｅｔ和Ｎ－ｆｅｔ构成的电容装置的源极到漏极泄漏电流最小化。在其他实施例中，可以采用熔性元件实现所述电容结构，从而在发生短路时隔离所述电容结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于在集成电路中提供电容的装置，包括：通过衬底的第三扩散体积互连的第一扩散体积和第二扩散体积，其中所述第一扩散体积和所述第二扩散体积与第一电压供应耦接；以及通过基本不导电的层与所述第三扩散体积耦合的多晶硅材料，其中所述多 晶硅材料和所述第三扩散体积与第二电压供应相耦接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小安东尼科雷尔，本杰明J鲍尔斯，道格拉斯T拉姆，尼施斯罗哈特吉，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]