制备高质量化合物半导体材料的沉积技术制造技术

通过利用特殊的氢化物气相外延沉积法可以有利地获得沉积层。在此方法中，具有延长的扩散层、均匀化隔膜、侧壁气体清除器，以及独立的气体和衬底加热器的立式生长装置结构被用于Ⅲ－Ⅴ和Ⅵ化合物半导体的沉积。气流均匀地混合通过延长的扩散层并被引导从而使其接触衬底的整个表面，以生成高质量和均匀的膜。这种气流结构的例子是衬底的位置在自气体出口的一定距离，所述距离允许延长的扩散层以及隔膜放置在使对流效应的影响降至最低并提高均匀性的自衬底上方的近距离。此对称结果使得从单晶片容易扩大到多晶片系统。此立式结构允许在不同的反应气体前驱体之间快速转换，从而可以采用时间调节生长和蚀刻法以进一步最小化沉积材料的缺陷密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于在衬底表面上形成材料层的化学气相沉积法，包括使用柱形立式氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）生长反应器，其具有延长的扩散层、均匀化隔膜、独立的侧壁气体加热器和衬底加热器、柱形侧壁气体清除管道和柱形侧壁气体出口缝。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：王望南，沙基依格雷维奇斯蒂帕诺夫，
申请(专利权)人：雷诺根公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]