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提供了一种半导体装置及其制造方法。在对ＳＴＩ边缘区域进行规定的预处理后，通过热氧化形成双栅氧化物层，其结果是，借助热氧化的高质量氧化物层，以及高电压装置区域的均匀保持的栅氧化物层厚度。本发明包括：被分成有源区域和无源区域的半导体基板，所述有...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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