【技术实现步骤摘要】
本申请涉及同时提交并具有至少一个共同专利技术人、共同的受让人、代理人案号为ONS00693、名称为“BI-DIRECTIONALTRANSISTOR AND METHOD THEREFOR”的申请。
技术介绍
本申请一般地涉及电子学，并且，更具体地涉及形成半导体器件的方法和结构。过去，半导体工业采用各种结构和方法在具有诸如横向晶体管的其它晶体管的同一衬底上形成垂直功率晶体管。在具有其它晶体管的同一半导体管芯上形成垂直功率晶体管是非常需要的，并为设计者提供灵活性以在单个半导体管芯上组合各种功能。然而，为垂直功率晶体管提供低导通电阻是困难的。典型地，其它晶体管要求轻掺杂的半导体区，在其中形成其它晶体管。所述轻掺杂提高了垂直晶体管的导通电阻。因此，需要形成在具有其它晶体管的同一衬底上的垂直功率晶体管和具有低导通电阻的垂直功率晶体管。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种集成功率器件，包括具有第一表面的第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底第一表面上的外延层，该外延层具有与半导体衬底的第一表面相对的第一表面；在外延层第一表面上形成的垂直功率晶体管，该垂直功率晶体管具有...
【技术保护点】
一种集成功率器件，包括：具有第一表面的第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底第一表面上的外延层，该外延层具有与半导体衬底的第一表面相对的第一表面；在外延层第一表面上形成的垂直功率晶体管，该垂直功率晶体管具有沟道区；以 及具有第一导电类型并在外延层内的第一掺杂区，该第一掺杂区在至少一部分垂直功率晶体管的下面，其中第一掺杂区没有延伸到外延层的第一表面。
【技术特征摘要】
US 2005-4-1 11/095,1351.一种集成功率器件，包括具有第一表面的第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底第一表面上的外延层，该外延层具有与半导体衬底的第一表面相对的第一表面；在外延层第一表面上形成的垂直功率晶体管，该垂直功率晶体管具有沟道区；以及具有第一导电类型并在外延层内的第一掺杂区，该第一掺杂区在至少一部分垂直功率晶体管的下面，其中第一掺杂区没有延伸到外延层的第一表面。2.根据权利要求1的集成功率器件，其中第一掺杂区的峰值掺杂浓度位于距外延层第一表面不小于大约2微米的位置处。3.根据权利要求1的集成功率器件，还包括垂直隔离区，该垂直隔离区具有与外延层的导电类型相反的导电类型，并从外延层的第一表面延伸到外延层内，以包围外延层的第一部分，以及第一晶体管，该第一晶体管形成在外延层的第一表面上并被垂直隔离区包围。4.根据权利要求3的集成功率器件，还包括第二掺杂区，该第二掺杂区在外延层的第一表面上并且不在外延层的第一部分内，该第二掺杂区具有与外延层的导电类型相反的导电类型，以及第二晶体管，该第二晶体管形成在外延层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰西恩Y罗伯，斯蒂芬P罗伯，普拉赛德万卡特拉曼，兹尔豪森，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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