多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法，晶体管多晶硅栅、ＰＩＰ电容下极板和高阻多晶硅都在第一层多晶硅上完成，只有ＰＩＰ电容的上极板是单独的第二层多晶硅。本发明专利技术利用ＰＭＯＳ源漏极的Ｐ型离子注入和ＰＩＰ下极板的Ｎ型离子注入而获得所需的阻值，所以可节约一次离子注入和一次光刻。本发明专利技术结构简单，成本低，工艺稳定性好，有益提高产品的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于模拟或射频集成电路的多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件。本专利技术还涉及该器件的制作方法。
技术介绍
目前多晶硅-绝缘层-多晶硅(PIP)电容和高阻多晶硅(HRPoly)是模拟或射频集成电路中经常同时使用的元件。这两种元件的常规制作方法较为繁琐，采用三层多晶硅分别用来作PIP的上、下极板和高阻多晶硅，同时需要四次光刻和三次离子注入来进行PIP和HRPoly的刻蚀与掺杂。由于该结构复杂，而且工艺步骤多，不仅造成工艺成本过高，还对成品率的提高带来负面影响。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件，它结构简单，成本低，工艺稳定性好，有益提高产品的成品率。本专利技术还要提供一种该器件的制作方法。为解决上述技术问题，本专利技术多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件，在硅衬底上至少包含浅沟道隔离槽(STI)和晶体管栅氧化层，在晶体管栅氧化层上的第一层多晶硅分别形成晶体管多晶硅栅、PIP下极板、高阻多晶硅，在PIP下极板上形成PIP介质层(即绝缘层)和PIP上极板。本专利技术多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件，在硅衬底上至少包含浅沟道隔离槽和晶体管栅氧化层，其特征在于：在晶体管栅氧化层上的第一层多晶硅分别形成晶体管多晶硅栅、ＰＩＰ下极板、高阻多晶硅，在ＰＩＰ下极板上形成ＰＩＰ介质层和ＰＩＰ上极板。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件，在硅衬底上至少包含浅沟道隔离槽和晶体管栅氧化层，其特征在于在晶体管栅氧化层上的第一层多晶硅分别形成晶体管多晶硅栅、PIP下极板、高阻多晶硅，在PIP下极板上形成PIP介质层和PIP上极板。2.一种制作如权利要求书1所述器件的制作方法，其特征在于它包括如下步骤1)首先，在栅氧化层以后，淀积第一层多晶硅层，利用一次光刻完成对所有器件栅、PIP的下极板以及高阻多晶硅以外区域的多晶硅刻蚀；2)利用PIP的下极板和高阻多晶硅共用的光刻板进行一次光刻，然后对两者同时作N型离子注入；3)淀积PIP介质层和上极板；4)对整片进行N型离子注入，完成对PIP上极板的掺杂；5)利用PIP上极板的光刻板进行一次光刻，完成PIP的制作；6)进行栅侧墙的淀积与刻蚀；7)最后，利用PMOS器...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]