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本发明公开了一种多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法，晶体管多晶硅栅、ＰＩＰ电容下极板和高阻多晶硅都在第一层多晶硅上完成，只有ＰＩＰ电容的上极板是单独的第二层多晶硅。本发明利用ＰＭＯＳ源漏极的Ｐ型离子注入和ＰＩＰ下极板的Ｎ型...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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