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在一种实施方式中，在具有其它晶体管的半导体衬底上形成垂直功率晶体管。在垂直功率晶体管下面的一部分半导体被掺杂成为垂直功率晶体管提供低导通电阻。...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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