集成电路或分立器件平面凸点式封装基板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板及其制作方法，包括基岛（１）和引脚（２），其特征在于基岛（１）及引脚（２）呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层（３）连结，基岛（１）为多个凸点组成的单元基岛，引脚（２）为单个凸点，基岛（１）和引脚（２）二者的正面设有金属层（４），在后续封装时形成的单个集成电路或分立器件封装体内，基岛（１）的数量有一个或多个，即为多个凸点组成的单个单元基岛或多个单元基岛，引脚（２）排列在基岛（１）的一侧或两侧或三侧，或围在基岛（１）的周围形成一圈或多圈引脚的结构。本发明专利技术封装结构自由度大、封装可靠性好、封装和技术要求低、材料消耗少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。属电子元器件

技术介绍
现有集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，其上的基岛呈整块金属状。其主要存在以下不足1、封装结构芯片基岛一一对应，而且要求基岛尺寸必须大于芯片尺寸，局限性很大，难于适应不同尺寸大小和规格的芯片。2、封装可靠性由于芯片安装于基岛上，对基岛的材质、平整度、表面质量、清洁程度等要求极高；同时由于整块金属基岛受热后容易产生较大的形变应力，所以容易发生分层等可靠性问题，而且随着芯片尺寸不断增大，对应会要求更大的基岛，上述问题就越来越严重。3、封装成本随着芯片设计越来越复杂，芯片尺寸规格也越来越多样化，超长超宽的芯片不断出现，如果要随着芯片规格的不断多样化而更改基岛尺寸甚至需要完全重新设计引线框架，成本高昂。4、技术要求随基岛尺寸不断增大，基岛平面的各项参数指标实现稳定控制的技术要求越来越高，难于保证。5、材料消耗随基岛尺寸不断增大，芯片封装体整体重量上升，难于适应封装产品轻薄短小的发展方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种封装结构自由度大、封装可靠性好、封装和技术要求低、材料消耗少的。本专利技术的目的是这样实现的一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，包括基岛和引脚，其特征在于基岛及引脚呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层连结，基岛为多个凸点组成的单元基岛，引脚为单个凸点，基岛和引脚二者的正面或正、背两面设有金属层，在后续封装时形成的单个集成电路或分立器件封装体内，基岛的数量有一个或多个，即为多个凸点组成的单个单元基岛或多个单元基岛，引脚排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛的周围形成一圈或多圈引脚的结构。本专利技术集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，所述的基岛和引脚二者的正面或正、背两面设有活化物质层，在活化物质层上设有金属层。本专利技术集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，所述的金属层设置在单元基岛内的部分凸点上或所有凸点上。本专利技术集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，所述的金属层为金、或银、或铜、或锡、或镍、或镍钯，且金属层为单层或多层。本专利技术集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，所述的活化物质层为镍、或钯、或镍钯层。本专利技术集成电路或分立器件平面凸点式封装基板的制作方法，其特征在于该方法包含以下步骤步骤一、取一片金属基板，步骤二、在金属基板的正、背两面各自贴上掩膜层，步骤三、将金属基板正面或正、背两面的部分掩膜去除掉，露出在金属基板上准备镀金属层的区域，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层，步骤五、去除金属基板正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，步骤六、对上道工序中去除掩膜层的区域进行半蚀刻，在金属基板上形成凹陷的半蚀刻区，同时相对形成单个凸点状的引脚和多个凸点组成的单元基岛，步骤七、去除金属基板上余下的掩膜，制成平面凸点式特殊基岛封装基板。本专利技术在上述步骤四中，在对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层前，可以先镀上活化物质层。本专利技术，具有应变能力强、便于生产、成本低廉、品质优良、可靠性高等优点，为后续解决重复修改封装基板设计以适应多种规格芯片、封装过程中封装体内易分层等问题排除困扰，从而优化了电子元器件的产品结构并为提高产品的可靠性强度打下坚实的基础。具体优点为 1、封装结构芯片与基岛之间相对独立，基岛尺寸与芯片尺寸之间没有必然联系，自由度更大，可以适应不同尺寸大小和规格的芯片。2、封装可靠性变单一平面支撑的整块金属基岛为多个凸点平面支撑的单元基岛，更好地释放了整块金属基岛的受热形变应力，从而有效减少了分层等可靠性问题；而且由于基岛与芯片之间相对独立，基岛对芯片的容许度可以有效增强，基岛无需随着芯片尺寸的增大而不断增大，从而降低了分层的风险。3、封装成本可以适应目前随着芯片设计越来越复杂，芯片尺寸规格也越来越多样化，而不断出现的超长超宽的芯片，不用重新设计引线框架或更改基岛尺寸，节约了成本，提高了效率，减小了风险。4、技术要求便于对基岛的各项参数指标的技术控制，可以适应不同规格的芯片要求，降低设计制造工艺的技术苛刻性。5、材料消耗基岛小型化，有利于节约材料消耗，非常适合封装产品轻薄短小的发展方向。附图说明图1～7为本专利技术的各工艺步骤图。具体实施例方式实施例1实施例1结构图7(a)，图7(a)为一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，该封装基板上的基岛1及引脚2呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层3连结，基岛1为多个凸点组成的单元基岛，引脚2为单个凸点，基岛1和引脚2二者的正面设有金属层4，金属层4为金、或银、或铜、或锡、或镍、或镍钯，且金属层可以为单层或多层，金属层4可以设在单元基岛内的部分凸点上或所有凸点上。在后续封装时形成的单个集成电路或分立器件封装体内，基岛1的数量可以有一个或多个，即可以为多个凸点组成的单个单元基岛或多个单元基岛，引脚2可以排列在基岛1的一侧，也可以排列在基岛1的两侧或三侧，或围在基岛1的周围形成一圈或多圈引脚的结构。其制作方法包含以下步骤步骤一、取一片金属基板6，如图1，步骤二、在金属基板的正、背两面各自贴上掩膜层7，如图2，步骤三、将金属基板正面的部分掩膜去除掉，露出在金属基板上准备镀金属层的区域，如图3(a)，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层4，如图4(a)，步骤五、去除金属基板正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，如图5(a)，步骤六、对上道工序中去除掩膜层71的区域进行半蚀刻，在金属基板上形成凹陷的半蚀刻区，同时相对形成单个凸点状的引脚2和多个凸点组成的单元基岛1，如图6(a)，步骤七、去除金属基板上余下的掩膜，制成平面凸点式特殊基岛封装基板。实施例2 实施例2结构如图7(b)所示，它是在实施例1的基础上，在基岛1和引脚2二者的背面设有金属层4。其制作方法包含以下步骤步骤一、同实施例1，步骤二、同实施例1，步骤三、将金属基板1正、背两面的部分掩膜去除掉，露出在金属基板上准备镀金属层的区域，如图3(b)，步骤四、方法同实施例1，图见图4(b)，步骤五、方法同实施例1，图见图5(b)，步骤六、方法同实施例1，图见图6(b)，步骤七、方法同实施例1，图见图7(b)。实施例3实施例3结构如图7(c)所示，它是在实施例1的基础上，在基岛1和引脚2二者的正面先设有活化物质层5，再在活化物质层5正面设有金属层4。活化物质5为镍、或钯、或镍钯。其制作方法包含以下步骤步骤一、同实施例1，步骤二、同实施例1，步骤三、同实施例1，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域先镀上活化物质层5如图4(c)，再镀上金属层4，如图4(e)， 步骤五、方法同实施例1，图见图5(c)，步骤六、方法同实施例1，图见图6(c)，步骤七、方法同实施例1，图见图7(c)。实施例4实施例4结构如7(d)所示，它是在实施例2的基础上，在基岛1和引脚2二者的背面先设有活化物质层5，再在活化物质层5上设有金属层4。其制作方法包含以下步骤步骤一、同实施例2，步骤二、同实施例2，步骤三、同实施例2，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域先镀上活化物质层5如图4(d)，再镀上金属层4，如图4(f)，步骤五、方法同实施例2，图见图5(d)，步骤六、方法同实施例2，图见图6(d)，步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，包括基岛（１）和引脚（２），其特征在于基岛（１）及引脚（２）呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层（３）连结，基岛（１）为多个凸点组成的单元基岛，引脚（２）为单个凸点，基岛（１）和引脚（２）二者的正面设有金属层（４），在后续封装时形成的单个集成电路或分立器件封装体内，基岛（１）的数量有一个或多个，即为多个凸点组成的单个单元基岛或多个单元基岛，引脚（２）排列在基岛（１）的一侧或两侧或三侧，或围在基岛（１）的周围形成一圈或多圈引脚的结构。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于基岛(1)及引脚(2)呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层(3)连结，基岛(1)为多个凸点组成的单元基岛，引脚(2)为单个凸点，基岛(1)和引脚(2)二者的正面设有金属层(4)，在后续封装时形成的单个集成电路或分立器件封装体内，基岛(1)的数量有一个或多个，即为多个凸点组成的单个单元基岛或多个单元基岛，引脚(2)排列在基岛(1)的一侧或两侧或三侧，或围在基岛(1)的周围形成一圈或多圈引脚的结构。2.根据权利要求1所述的一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，其特征在于基岛(1)和引脚(2)二者的背面设有金属层(4)。3.根据权利要求1所述的一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，其特征在于基岛(1)和引脚(2)二者的正面设有活化物质层(5)，在活化物质层(5)上设有金属层(4)。4.根据权利要求2所述的一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，其特征在于基岛(1)和引脚(2)二者的正、背两面设有活化物质层(5)，在活化物质层(5)上设有金属层(4)。5.根据权利要求1或2、3、4所述的一种集成电路或分立器件平面凸点式封装基板，其特征在于所述的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志忠，王新潮，于燮康，陶玉娟，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]