【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，例如涉及在半导体集成电路装置(下面称为IC)的制造方法中，用于在植入IC的半导体晶片(下面称为晶片)上形成氧化膜或金属膜等的CVD膜的成膜工序中使用的、有效的。
技术介绍
在将氮化硅(Si3N4)或氧化硅(SiOx)以及多晶硅等堆积(沉积)在晶片上的IC的制造方法的成膜工序中，广泛使用间歇式立式热壁型减压CVD装置。该间歇式立式热壁型减压CVD装置具有形成收容晶片并通过热CVD反应进行成膜的处理室的处理管；将多片晶片保持在整齐排列的状态下，并运入以及运出处理室的舟皿；形成在处理管的正下方，并等待舟皿运入运出处理室的待机室；以及使舟皿升降而运入运出处理室的舟皿升降机。作为以往的这种CVD装置，有通过能承受不足大气压的压力的真空容器(被称为真空隔绝室。)来形成待机室的真空隔绝方式的间歇式立式热壁型减压CVD装置(下称真空隔绝式CVD装置。)。例如参照专利文献1以及专利文献2。并且，真空隔绝方式是指使用门阀等的隔离阀，分隔处理室和预备室(待机室)，防止空气流入处理室，减少温度或压力等的干扰，使处理稳定的方式。专利文献1特开2003-151909号公报...
【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，包括：收容衬底并对衬底进行处理的处理室；与上述处理室连续设置的预备室；将层叠着多片衬底的衬底保持件运入及／或运出上述处理室的衬底保持件用机构部；向上述预备室供给惰性气体的惰性气体 供给口；以位于上述惰性气体供给口上侧的方式设置在上述预备室，并对上述惰性气体进行排气的第一排气口；对上述预备室抽真空的第二排气口；控制部，该控制部在对通过上述第二排气口进行了真空排气的上述预备室内进行升压后、维持在规 定压力时，控制从上述惰性气体供给口供给的惰性...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-11-1 318194/20041.一种衬底处理装置，其特征在于，包括收容衬底并对衬底进行处理的处理室；与上述处理室连续设置的预备室；将层叠着多片衬底的衬底保持件运入及/或运出上述处理室的衬底保持件用机构部；向上述预备室供给惰性气体的惰性气体供给口；以位于上述惰性气体供给口上侧的方式设置在上述预备室，并对上述惰性气体进行排气的第一排气口；对上述预备室抽真空的第二排气口；控制部，该控制部在对通过上述第二排气口进行了真空排气的上述预备室内进行升压后、维持在规定压力时，控制从上述惰性气体供给口供给的惰性气体仅从上述第一排气口进行排气。2.一种衬底处理装置，其特征在于，包括收容衬底并对衬底进行处理的处理室；与上述处理室连续设置的预备室；将层叠保持着多片衬底的衬底保持件运入及/或运出上述处理室的衬底保持件用机构部；惰性气体供给口，其以位于衬底保持区域下侧的方式设置在上述预备室，并向上述预备室供给惰性气体的惰性气体供给口，所述衬底保持区域将衬底层叠保持在上述衬底保持件上；以位于上述衬底保持区域上侧的方式设置在上述预备室，并对上述惰性气体进行排气的第一排气口。3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，上述预备室在上述衬底保持区域上端的下侧，具有与上述第一排气口不同的其它排气口；并具有控制部，该控制部在将层叠保持着多片衬底的上述衬底保持件从上述预备室运入上述处理室及/或从上述处理室向上述预备室运出时，控制从上述惰性气体供给口供给的惰性气体使其从上述衬底保持区域的下侧向上述衬底保持区域的上侧流动，并仅从上述预备室所具有的多个排气口中的位于上述衬底区域上侧的第一排气口进行排气。4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，具有与上述第一排气口不同的、以位于上述衬底保持区域下侧的方式设置在上述预备室的第二排气口；并具有控制部，该控制部以使从上述第二排气口排气时的上述预备室内的压力与从上述第一排气口排气时的上述预备室内的压力相比成为低压的方式进行控制。5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，上述衬底保持件用机构部由驱动部和与该驱动部连接的衬底保持件设置部构成，上述预备室被分隔板分隔成设置上述驱动部的区域和在上述衬底保持件设置部设置上述衬底保持件的区域，上述第一排气口被设...
【专利技术属性】
技术研发人员：中岛诚世，谷山智志，寿崎健一，高岛义和，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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