制造半导体基片上晶体管元件之间连接的方法及半导体器件技术

制造半导体基片上晶体管元件之间连接的方法及半导体器件披露了用于在半导体器件内形成连接的方法和装置。该半导体器件包括位于极为接近的晶体管接触之间的接触桥。该接触桥包括多个金属柱，每个分别具有与第一和第二晶体管元件电接触的下端；一个或多个中间金属柱被布置于金属柱的上端之间并与之电接触；以及电介质的一个或多个分离区被布置于中间金属柱的下方以及第一和第二金属柱的下端之间。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于制造半导体基片上两个晶体管元件之间的连接的方法，包括以下步骤：提供半导体基片，该基片具有形成第一晶体管元件（３０４）的硅层（３０４）、形成第二晶体管元件（３０６）的多晶硅层（３０６）、位于第二晶体管元件（３０６）一侧上的第一 侧分隔件（３１２Ａ）以及位于第二晶体管元件（３０６）相对侧上的第二侧分隔件（３１２Ａ）、以及位于第一晶体管元件（３０４）、第二晶体管元件（３０６）和第三电介质层（３１２）之上的电介质层（３１６）；在电介质层（３１６）的上表面上涂敷一 层光刻胶（３１８）；对所述光刻胶层进行光构图以形成至少第一和第二接触区域（３０８Ａ、３０９Ａ），在两者之...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯J托梅，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]