半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法可包括在半导体衬底之上顺序形成第一刻蚀终止层、第一绝缘层以及第二刻蚀终止层；形成多个第一绝缘层图案；在所述多个第一绝缘层图案之间的间隙中形成第二绝缘层；以及在所述多个第一绝缘层图案的每个中形成镶嵌式通孔。本发明专利技术适合于宽范围的应用，例如，用于防止由于金属布线工艺对低ｋ电介质造成损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种半导体器件及其制造方 法。虽然本专利技术适合于较宽的应用范围，但它尤其适合于解决由于金属布线工 艺对低k电介质造成的损坏。
技术介绍
半导体制造技术各个方面的发展现己主要集中于具有用于使导体彼此绝 缘的至少一个绝缘层的高度集成且高速的半导体器件。然而，这种绝缘层可能 干扰或导通高速电信号，并由此使之不能提供任何绝缘。在充电设备的DC电压下，绝缘层或电介质可以起到在两极之间充正电荷 或负电荷的作用。然而，在施加AC电压情形下，电流在两极之间会发生泄露。为了解决电流泄露的问题，已进行了许多努力来研究并开发低k电介质作 为绝缘层。在不同的电介质材料中，介电常数可以设定在3.5~4.5，以及具有 小于2.7的介电常数的任何材料可称为低k电介质。该低k电介质可以通过化 学气相沉积在低温下将用于生长粗粒膜所需的材料粘接到表面并且通过退火 处理稳定化所粘接的材料而获得。该工艺可提供具有介电常数约2.7的薄膜。然而，由于材料在没有激活能下被吸附，因此它可在沉积无间隙填充性质 的薄膜情形下使用。即，所述电介质材料可仅在用于镶嵌工艺的薄膜时使用。由于低k本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在半导体衬底之上顺序形成第一刻蚀终止层、第一绝缘层以及第二刻蚀终止层；形成多个第一绝缘层图案；在所述多个第一绝缘层图案之间的间隙中形成第二绝缘层；以及在所述多个第一绝缘层图案的每个中形成镶嵌式通孔。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-27 10-2006-01173791.一种方法，包括在半导体衬底之上顺序形成第一刻蚀终止层、第一绝缘层以及第二刻蚀终止层；形成多个第一绝缘层图案；在所述多个第一绝缘层图案之间的间隙中形成第二绝缘层；以及在所述多个第一绝缘层图案的每个中形成镶嵌式通孔。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在形成所述第 二绝缘层之后，在所述半导体衬底之上执行化学机械抛光以暴露所述第二刻蚀 终止层的顶表面。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀终止层和所 述第二刻蚀终止层由相同材料组成。4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀终止层和所 述第二刻蚀终止层包括氮化物层。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括氧化 物基材料。6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧化物基材料包括氟 化硅酸盐玻璃基电介质材料。7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层包括低k 基材料。8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述低k基材料包括SiOC 基电介质材料。9. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层使用聚合 物上旋涂涂覆形成来填充所述多个第一绝缘层图案之间的间隙...

【专利技术属性】
技术研发人员：李太荣，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]