互连结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种制作具有双层金属盖的互连结构的结构和制作方法。在一个实施例中，该方法包括在介电材料层中形成互连特征；以及在互连特征的顶表面上形成双层金属盖。该方法还包括沉积介电盖层的毯式层，其中该沉积覆盖介电材料层的暴露的表面和双层金属盖的表面。双层金属盖包括形成在互连特征的导电表面上的金属盖层；以及形成在金属盖层的顶部分上的金属氮化物。互连结构也描述为具有形成在介电层中的互连特征；形成在互连特征的顶部分上的双层金属盖；以及形成在双层金属盖上方的介电盖层。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体涉及半导体装置中互连结构的形成。具体地，本公开涉及具 有双层金属盖的互连结构的结构和形成方法。
技术介绍
集成电路芯片典型地包括两个或多个级的导线，这些导线由中间绝缘层 垂直地隔开并分离。在芯片中导线的级之间形成互连以提供例如高布线密度 和良好的热性能。由被蚀刻穿过分离级的绝缘层的线和通孔形成互连。然后 用金属填充这些线和通孔以形成互连特征(即，通路柱)。典型的互连结构 包括垂直于半导体基板延伸的金属通孔和平行于半导体基板延伸的金属线。 该工艺导致多级的导电布线互连图案，由通路柱连接的单独的级，用于在晶 片上的各种电路中分配信号。图1A和IB示出现有技术互连或布线结构，该结构包括具有形成在其 中的多条线14a、 14b和14c的介电层12。线14a、 14b和14c可以通过首先 用光致抗蚀剂掩盖绝缘层并然后选择蚀刻绝缘层的部分来形成。使用熟知的 光刻技术，使用各向同性或各向异性蚀刻工艺，线14a、 14b和14c被蚀刻 穿过形成在光致抗蚀剂中的空腔，以形成对介电层12的开口。在线14a、 14b 和14c的蚀刻且除去光致抗蚀剂之后，阻挡或衬垫层16通过本领域熟知的 方法沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作互连结构的方法，该方法包括：　　　　在介电材料层中形成至少一个互连特征；以及　　　　在所述至少一个互连特征的顶表面上形成双层金属盖。

【技术特征摘要】
US 2007-2-16 11/675,7051.一种制作互连结构的方法，该方法包括在介电材料层中形成至少一个互连特征；以及在所述至少一个互连特征的顶表面上形成双层金属盖。2. 如权利要求1所述的制作互连结构的方法，还包括沉积介电盖层的毯 式层，其中所述沉积覆盖所述介电材料层的暴露的表面和所述双层金属盖的 表面。3. 如权利要求1所述的制作互连结构的方法，其中所述形成所述双层金 属盖包括在所述至少一个互连特征的导电表面上形成金属盖层；以及 进行化学等离子体工艺以在所述金属盖层的顶部分上形成金属氮化物。4. 如权利要求3所述的制作互连结构的方法，其中所述介电材料层的表5. 如权利要求3所述的制作互连结构的方法，其中所述金属盖层包括贵金属。6. 如权利要求5所述的制作互连结构的方法，其中所述贵金属选自由 Co、 Ir、 Ru、 Rh、 Pd、 Pt、 Ta、 W、 B、 P、 Mo、 Re及其组合物組成的组。7. 如权利要求1所述的制作互连结构的方法，还包括在所述介电材料的 顶部分上形成硬质掩模，其中所述互连特征嵌入所述介电材料层和所述硬质 掩模内，而且其中所述互连特征包括与所述硬质掩模的顶表面共面的导电表 面。8. 如权利要求1所述的制作互连结构的方法，其中所述形成至少一个互 连特征包括在所述介电材料层中形成线和通孔至少之一 ； 在所述线和通孔的至少之一中同形地沉积阻挡层；以及 在所述阻挡层上方沉积金属层。9. 如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨智超，考希克钱达，王平川，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]