【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种相变化存储装置，包括：导电构件，设置在介电层中；相变化材料层，设置在该介电层中；和导电层，延伸在该介电层中，以分别电连接该相变化材料层与该导电构件的侧壁。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李亨元，赵得胜，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，力晶半导体股份有限公司，南亚科技股份有限公司，茂德科技股份有限公司，华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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