【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供一表面具有硅材料的衬底；在所述衬底上形成一金属层；在所述金属层上形成一阻挡层；在所述阻挡层上形成一活性层；对所述衬底进行热处理形成金属硅化物；腐 蚀去除未与所述硅材料进行反应的所述金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡宇慧，杨瑞鹏，聂佳相，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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