半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该半导体装置的制造方法包括以下步骤：ａ）提供一基板；ｂ）附着一芯片至该基板的一表面；ｃ）形成若干个导电元件以电性连接该芯片及该基板；ｄ）形成若干个第一导体于该基板的该表面；ｅ）形成一封胶材料以包覆该基板的该表面、该芯片、这些导电元件及这些第一导体；及ｆ）去除该封胶材料的一外围区域，使得该封胶材料具有至少两个高度，且暴露出这些第一导体的一端。通过这种方式，该封胶材料会包覆该基板的整个该表面，因此不会污染该表面上的焊垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体装置的制造方法，且特别是有关于一种封胶 材料具有不同高度的半导体装置的制造方法及该半导体装置。
技术介绍
参考图l，显示现有由堆栈式封装结构所组成的半导体装置的示意图。该现有半导体装置1包括一第一封装结构10及一第二封装结构20。该第一封装结 构10包括一第一基板11、 一第一芯片12、若干条第一导线13、 一第一封胶材 料14及若干个第一焊球15。该第一基板ll具有一上表面lll、 一下表面112及 若干个第一焊垫113。这些第一焊垫113是位于该第一基板11的上表面111。该 第一芯片12是黏附于该第一基板11的上表面111，且利用这些第一导线13电性 连接至该第一基板ll的上表面lll。该第一封胶材料14包覆该第一芯片12、这 些第一导线13及部分该第一基板11的上表面111，且暴露出这些第一焊垫113。 这些第一焊球15是位于该第一基板11的下表面112。该第二封装结构20叠设于该第一封装结构10上。该第二封装结构20包括 一第二基板21、 一第二芯片22、若干条第二导线23、 一第二封胶材料24及若 干个第二焊球25。该第二基板21具有一上表面211、 一下表面212及若干个第 二焊垫213。这些第二焊垫213是位于该第二基板21的下表面212。该第二芯片 22是黏附于该第二基板21的上表面211 ，且利用这些第二导线23电性连接至该 第二基板21的上表面211。该第二封胶材料24包覆该第二芯片22、这些第二导 线23及该第二基板21的上表面211 。这些第二焊球25的上端连接该第二基板21 下表面212的第二焊垫213，其下端连接该第一基板ll上表面lll的第一焊垫 113。该现有半导体装置l的缺点在于该第一封装结构10的第一封胶材料14所包覆的面积小于该第二封装结构20的第二封胶材料24，因此该第一封装结 构10及该第二封装结构20必须由两个不同的模具来进行灌胶(Molding)的作 业，制造模具的费用昂贵，且当生产不同封装元件时，往往需要制造不同尺 寸的模具以因应后续灌胶的需求，这样将会大大地增加制造成本。此外，在 该第一封装结构10的灌胶作业中，该第一封胶材料14容易溢出至该第一基板 ll的上表面lll，而污染这些第一焊垫113。因此，有必要提供一种创新且具进步性的半导体装置及半导体装置及其 制造方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其可以避免封 胶材料污染位于基板的第一表面上的焊垫，并且还能够暴露出位于焊垫上的 第一导体的一端，从而便于另一封装结构电性连接至该第一导体。本专利技术的另一 目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置的第二封装 结构的尺寸与第一封装结构的尺寸相同，只要一种灌胶模具即可进行第二封 装结构及第一封装结构的灌胶作业，从而减少制造成本。为达成上述目的或是其它目的，本专利技术采用如下技术方案 一种半导体 装置的制造方法，包括以下步骤-a) 提供一第一基板，该第一基板具有一第一表面及一第二表面；b) 附着一第一芯片至该第一基板的第一表面；c) 形成若干个第一导电元件以电性连接该第一芯片及该第一基板；d) 形成若干个第一导体于该第一基板的第一表面；及e) 形成一第一封胶材料以包覆该第一基板的第一表面、该第一芯片、这 些第一导电元件及这些第一导体；以及f) 去除该第一封胶材料的一外围区域，使得该第一封胶材料具有至少两 个高度，且暴露出这些第一导体的一端。为达成上述目的或是其它目的，本专利技术还采用如下技术方案 一种半导 体装置，包括有一第一封装结构，该第一封装结构包括 一第一基板、 一第一芯片、若干个第一导电元件、若干个第一导体及一第一封胶材料，其中该第一基板具有一第一表面及一第二表面；该第一芯片附着至该第一基板的第 一表面；这些第一导电元件电性连接该第一芯片及该第一基板；这些第一导 体位于该第一基板的第一表面；及该第一封胶材料包覆该第一基板的第一表 面、该第一芯片、这些第一导电元件及这些第一导体，该第一封胶材料具有 至少两个高度，且暴露出这些第一导体的一端。相较于现有技术，本专利技术半导体装置的封胶材料包覆了第一基板的第一 表面、第一芯片、这些第一导电元件及这些第一导体，该封胶材料具有至少 两个高度，且暴露出这些第一导体的一端。通过这种方式，该封胶材料不但 可以包覆该第一基板的整个第一表面，以避免该第一表面上的焊垫被污染。 而且，由于第二封装结构的尺寸与第一封装结构的尺寸相同，因此只要一种 灌胶模具即可进行第二封装结构及第一封装结构灌胶的作业，从而减少制造 成本。附图说明图1显示现有由堆栈式封装结构所组成的半导体装置的示意图。图2显示本专利技术半导体装置的制造方法的流程图。图3至图8显示本专利技术半导体装置的制造方法的步骤示意图。具体实施方式参考图2，显示本专利技术半导体装置的制造方法的流程图。请同时参考图3， 步骤S201是提供一第一基板31，该第一基板31具有一第一表面311、 一第二表 面312、若干个第一焊垫313及若干个第二焊垫314，这些第一焊垫313是位于 该第一表面311上，这些第二焊垫314是位于该第二表面312上。步骤S202是附 着一第一芯片32至该第一基板31的第一表面311，在本实施例中，该第一芯片 32黏附于该第一基板31的第一表面311 。步骤S203是形成若干个第一导电元件 (例如若干条第一导线33)以电性连接该第一芯片32及该第一基板31的第一表 面311 。步骤S204是形成若干个第一导体(例如若千个第一焊球34)于该第一基板31的第一表面311的第一焊垫313 。请同时参考图2及图4，步骤S205是形成一第一封胶材料35以包覆该第一 基板31的第一表面311、该第一芯片32、这些第一导线33及这些第一焊球34。 需要注意的是，该第一封胶材料35包覆该第一基板31的第一表面311的整个表 面。请同时参考图2及图5，步骤S206是形成若干个第二焊球36于该第一基板 31的第二表面312的第二焊垫314。需要注意的是，本步骤为一选择性步骤。请同时参考图2及图6，步骤S207是去除该第一封胶材料35的一外围区域 的一部分，使得该第一封胶材料35具有至少两个高度，且暴露出这些第一焊 球34的一端，而制成一第一封装结构3。本步骤的去除方法为雷射切割、化学 蚀刻或刀具切割。在本实施例中，本步骤的去除方法为刀具切割，即去除该 第一封胶材料35的外围区域的上半部351，而留下该外围区域的下半部352。 而且该第一封胶材料35的中间区域353未被切割，而被完全保留。因此，切割后，该封胶材料35具有一第一高度H1、 一第二高度H2、 一中 间区域353、 一外围区域的下半部352、 一第一顶面354及一第二顶面355。该 第一高度H1为该中间区域353的高度，即该第一高度H1是指包覆有该第一芯 片32及这些第一导线33的封胶材料的高度。该第二高度H2为该外围区域的下 半部352的高度，即该第二高度H2是指包覆有这些第一焊球34的封胶材料的 高度。该第一高度H1是大于该第二高度H2。该第一顶面354是位于该第一高 度H1，也就是说，该第一顶面354为该中间区域353的顶面。该第一顶面354 具有一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：ａ）提供一第一基板，该第一基板具有一第一表面及一第二表面；ｂ）附着一第一芯片至该第一基板的第一表面；ｃ）形成若干个第一导电元件以电性连接该第一芯片及该第一基板；ｄ）形成 若干个第一导体于该第一基板的第一表面；及ｅ）形成一第一封胶材料以包覆该第一基板的第一表面、该第一芯片及这些第一导电元件；其特征在于：在步骤ｅ）中，该第一封胶材料还包覆这些第一导体，该半导体装置的制造方法还包括以下步骤：　 　ｆ）去除该第一封胶材料的一外围区域，使得该第一封胶材料具有至少两个高度，且暴露出这些第一导体的一端。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤a)提供一第一基板，该第一基板具有一第一表面及一第二表面；b)附着一第一芯片至该第一基板的第一表面；c)形成若干个第一导电元件以电性连接该第一芯片及该第一基板；d)形成若干个第一导体于该第一基板的第一表面；及e)形成一第一封胶材料以包覆该第一基板的第一表面、该第一芯片及这些第一导电元件；其特征在于在步骤e)中，该第一封胶材料还包覆这些第一导体，该半导体装置的制造方法还包括以下步骤f)去除该第一封胶材料的一外围区域，使得该第一封胶材料具有至少两个高度，且暴露出这些第一导体的一端。2. 如权利要求l所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在步骤f) 后还包括步骤g) 叠设一第二封装结构于这些第一导体上，且该第二封装结构与这些第 一导体电性连接。3. 如权利要求l所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在步骤d) 中的这些第一导体为若干个第一焊球；在步骤e)中的该第一封胶材料包覆该 第一基板的整个第一表面；在步骤f)中更去除至少一个第一导体的一部分，使 得该至少一个第一导体的剩余部分形成半球状。4. 如权利要求l所述的半导体装置的制造方法，其特征在于步骤f)的 去除方法为雷射切割、化学蚀刻或刀具切割，该刀具切割的方法更包括在该 封胶材料上形成若干条切割纹路。5. 如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在步骤g) 中的该第二封装结构包括 一第二基板、 一第二芯片、若干条第二导线、一 第二封胶材料及若干个第三焊球，其中该第二基板具有一第一表面及一第二 表面；该第二芯片附着至该第二基板的第一表面；这些第二导线电性连接该 第二芯片及该第二基板；该第二封胶材料包覆该第二基板的第一表面、该第 二芯片及这些第二导线；及这些第三焊球位于该第二基板的第二表面，这些 第三焊球电性连接这些第一导体。6. —种半导体装置，包括一第一封装结构，该第一封装结构包括 一第一基板、 一第一芯片、若干个第一导电元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴彦毅，宋威岳，张简宝徽，李政颖，翁国良，朱吉植，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]