一种可编程非易失性存储单元结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种可编程非易失性存储单元结构，包括：金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅，金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成电容结构，阻挡层为该电容结构的介质层。同时还公开了一种可编程非易失性存储单元结构的设计方法，包括：将多晶硅淀积在场区氧化层上；将阻挡层淀积覆盖在多晶硅上；淀积金属层；制作接触孔；将金属层、接触孔、阻挡层、多晶硅层依次连接形成电容结构；将所述阻挡层作为该电容结构的介质层。通过本发明专利技术为用户提供一套具有存储单元面积小，集成密度高，有利于大规模集成电路应用等优点的可编程非易失性存储单元的设计解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及半导体存储器件，尤其涉及一种可编程非易失性存储单元 结构及其设计方法。
技术介绍
片上系统(SOC， System On Chip )的制造主要以逻辑工艺为基础，设计 人员在SOC研发设计过程中，常常需要在SOC内部集成大量的非易失性存储 单元。设计人员根据所设计的SOC的不同用途，选择适当类型和功能的非易 失性存储单元来作为SOC内部的存储单元。目前，非易失性存储单元包括只读非易失性存储单元、可编程只读非易失 性存储单元、可编程可擦除只读非易失性存储单元等。其中，现有可编程非易 失性存储单元在其结构及设计方法上存在以下不足首先，现有可编程非易失性存储单元常常采用熔丝或反熔丝制造技术，这 种熔丝或反熔丝制造技术除了需要采用传统的逻辑工艺外，还需要采用特殊工 艺和特殊材料。因此，采用基于熔丝或反熔丝制造技术的可编程非易失性存储 单元，不但增加了SOC的成本，而且由于制造过程中采用了特殊工艺和特殊 材料，因此，还大大降低逻辑器件的可靠性。其次，基于逻辑工艺的可编程非易失性存储单元的制造原理主要是利用金 属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semicond本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可编程非易失性存储单元结构，其特征在于，包括一个电容结构，所述电容结构由金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成；所述阻挡层为该电容结构的介质层。

【技术特征摘要】
1.一种可编程非易失性存储单元结构，其特征在于，包括一个电容结构，所述电容结构由金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成；所述阻挡层为该电容结构的介质层。2. 根据权利要求1所述的可编程非易失性存储单元结构，其特征在于， 所述阻挡层在预定电压作用下被击穿。3. 根据权利要求2所述的可编程非易失性存储单元结构，其特征在于， 所述阻挡层具有未击穿和击穿两种状态。4. 根据权利要求3所述的可编程非易失性存储单元结构，其特征在于， 所述阻挡层的未击穿和击穿两种状态用于产生不同电阻值进行数据存储。5. 根据权利要求4所述的可编程非易失性存储单元结构，其特征在于， 所述阻挡层为金属硅化物阻挡层。6. 根据权利要求1所述的可编程非易失性存储单元结构，其特征在于， 所述金属层为第一金属层。7. 根据权利要求1所述的可编程非易失性存储单元结构，其特征在于， 多个所述可编程非易失性存储单元阵列排布形成可编程非易失性存储器。8. —种可编程非易失性存储单元结构的设计方法，其特征在于，包括 将多晶硅淀...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱一明，胡洪，
申请(专利权)人：北京芯技佳易微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]